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本发明公开了一种闪存的数据保持力测试方法，包括：步骤一、选定多个存储单元并进行弱编程；步骤二、测量各存储单元的第一单元电流，第一单元电流具有分散性；步骤三、对所述存储单元进行用于性能退化的应力作用；步骤四、测量经过应力作用的各存储单元的第二...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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