【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年10月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2019-0126177的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
[0003]本公开涉及半导体存储器装置及其制造方法，并且更具体地涉及三维半导体存储器装置及其制造方法。
技术介绍
[0004]半导体存储器装置包括能够存储数据的存储器单元。
[0005]根据存储和维持数据的方法，半导体存储器装置可以被分类为易失性半导体存储器装置和非易失性半导体存储器装置。易失性半导体存储器装置是其中当切断电源时丢失所存储的数据的存储器装置，并且非易失性半导体存储器装置是其中即使切断电源也保持所存储的数据的存储器装置。
[0006]近来，随着便携式电子装置的使用增加，非易失性半导体存储器装置的使用增加，并且为了便携性和大容量，要求半导体存储器装置的高集成度和大容量。为了这样的高集成度和大容量，已提出了三维半导体存储器装置。
技术实现思路
[0007]本...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，包括：第一半导体层；单元堆叠和外围堆叠，各自被设置在所述第一半导体层上；第一缝隙结构，在第一方向上延伸并且穿透所述单元堆叠和所述外围堆叠；穿透结构，穿透所述外围堆叠并且与所述第一缝隙结构间隔开；以及支撑结构，穿透所述外围堆叠，其中所述支撑结构包括彼此间隔开的第一侧壁部分和将所述第一侧壁部分彼此连接的第二侧壁部分，并且其中所述穿透结构被设置在所述第一侧壁部分之间。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第一缝隙结构的一部分被设置在所述第一侧壁部分之间。3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括支撑柱子，所述支撑柱子被设置在所述第一缝隙结构和所述穿透结构之间，所述支撑柱子穿透所述外围堆叠。4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括第二缝隙结构，所述第二缝隙结构在所述第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一缝隙结构间隔开，其中所述第二缝隙结构与所述支撑结构间隔开。5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述外围堆叠包括所述支撑结构中的第一部分，并且其中所述穿透结构穿透所述外围堆叠的所述第一部分。6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中所述第一部分包括在垂直方向上布置的第一绝缘图案和填充一个或多个空间的绝缘膜，所述空间中的每个空间在相邻的成对的所述第一绝缘图案之间，并且其中所述第一绝缘图案和所述绝缘膜各自包括氧化物。7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中：所述外围堆叠还包括通过所述支撑结构与所述第一部分间隔开的第二部分；所述第二部分包括交替堆叠的第二绝缘图案和牺牲图案；所述第二绝缘图案各自包括氧化物；并且所述牺牲图案各自包括氮化物。8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：所述外围堆叠包括连接至所述单元堆叠的一部分；所述外围堆叠的所述部分包括交替堆叠的绝缘图案和导电图案；并且所述外围堆叠的所述部分的一部分被设置在所述第一侧壁部分之间。9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第一缝隙结构与所述支撑结构间隔开。10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中所述第一缝隙结构在所述第一方向上与所述第二侧壁部分间隔开。11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述穿透结构包括导电材料。12.一种半导体存储器装置，包括：
第一半导体层；单元堆叠和外围堆叠，各自被设置在所述第一半导体层上；以及支撑结构，穿透所述外围堆叠，其中所述外围堆叠包括被所述支撑结构包围的第一部分和通过所述支撑结构与所述第一部分间隔开的第二部分，其中所述第一部分包括在垂直方向上布置的第一绝缘图案和填充一个或多个空间的绝缘膜，所述空间中的每个空间在相邻的成对的所述第一绝缘图案之间，并且其中所述第二部分包括交替堆叠的第二绝缘图案和牺牲图案。13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案以及所述绝缘膜各自包括氧化物，并且其中所述牺牲图案各自包括氮化物。14.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，还包括穿透结构，所述穿透结构穿透所述第一部分并且被所述支撑结构包围，其中所述穿透结构包括导电材料。15.一种半导体存储器装置，包括：第一半导体层；单元堆叠和外围堆叠，各自被设置在所述第一半导体层上；穿透结构，穿透所述外围堆叠；以及支撑结构，穿透所述外围堆叠，其中所述外围堆叠包括所述支撑结构中的第一部分和将所述第一部分与所述单元堆叠连接的第二部分，并且其中所述穿透结构穿透所述第一部分。16.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李相范，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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