本实用新型专利技术公开了一种带转换电路的存储装置，包括电平转换器以及存储器，所述存储器包括衬底、翅、第一介质层、栅极、源极和漏极，存储器还设置有凸台和绝缘层，绝缘层设置在衬底上，凸台位于绝缘层上，翅位于凸台上，凸台为绝缘的凸台，第一介质层设置在相邻的翅之间，使各个翅相互独立，栅极位于源极和漏极之间，源极与漏极分别与翅相连，第一介质层上开有沟槽，栅极位于沟槽内，栅极与沟槽之间设置有第二介质层，栅极上设置有第三介质层，第二介质层由第二介质上层和第二介质下层组成，第二介质上层的厚度大于第二介质下层的厚度。本实用新型专利技术不但提高了存储装置的可靠性，同时漏电流小。小。小。
【技术实现步骤摘要】
一种带转换电路的存储装置
[0001]本技术涉及集成领域，特别涉及一种带转换电路的存储装置。
技术介绍
[0002]计算机环境范例已经变化为任何时间以及任何地方都能够使用的无处不在的计算系统。归因于此事实，诸如移动电话、数字相机、以及笔记本电脑的便携式电子设备的使用已得到迅速的增张。这些便携式电子设备通常使用具有存储器件的存储系统，存储器件即数据储存器件。数据储存器件用作这些便携式电子设备中的主存储器件或辅助存储器件。从而，诸如存储系统的数字数据储存器的可靠性和性能是关键的。使用存储器件的这些数据储存器件提供极好的稳定性、耐用性、高信息存取速度、以及低功耗。
[0003]常规的存储装置制造流程制出的中存储装置，存在以下不足：
[0004]①
氢阻断能力不足而影响存储装置的可靠性。
[0005]②
漏电流过大导致存储装置的保留时间等性能较差。
技术实现思路
[0006]本技术的目的在于提供一种带转换电路的存储装置，该带转换电路的存储装置不但提高了存储装置的可靠性，同时漏电流小。
[0007]技术方案是：一种带转换电路的存储装置，包括电平转换器以及存储器，所述存储器包括衬底、翅、第一介质层、栅极、源极和漏极，存储器还设置有凸台和绝缘层，绝缘层设置在衬底上，凸台位于绝缘层上，翅位于凸台上，凸台为绝缘的凸台，第一介质层设置在相邻的翅之间，使各个翅相互独立，栅极位于源极和漏极之间，源极与漏极分别与翅相连，第一介质层上开有沟槽，栅极位于沟槽内，栅极与沟槽之间设置有第二介质层，栅极上设置有第三介质层，第二介质层由第二介质上层和第二介质下层组成，第二介质上层的厚度大于第二介质下层的厚度，第二介质上层和第二介质下层均沿着栅极的延伸方向连续延伸。
[0008]作为优选，所述第二介质上层的底部低于源极和漏极的底部。
[0009]作为优选，所述第三介质层与栅极之间还设置有第一氢阻断层。
[0010]作为优选，所述存储器还包括第二氢阻断层，第二氢阻断层位于第一氢阻断层与第三介质层之间。
[0011]作为优选，所述第一氢阻断层为氮化硅层，第二氢阻断层为氧化铝层。
[0012]作为优选，所述第一氢阻断层的厚度为5-8纳米，第二氢阻断层的厚度为5-8纳米。
[0013]作为优选，所述衬底为单晶硅衬底、单晶锗衬底、绝缘体上硅衬底或绝缘体上锗衬底。
[0014]作为优选，所述存储器还包括第一中间层和第二中间层，第一中间层位于翅与漏极之间，第二中间层位于翅与源极之间。
[0015]作为优选，所述第一中间层与漏极之间还设置有第一硅层，第二中间层与源极之间还设置有第二硅层。
8纳米。
[0034]需要理解的是，沟槽形成后，先在沟槽内制作第二介质层107，然后制作栅极104、第一氢阻断层109、第二氢阻断层110和第三介质层108。
[0035]需要理解的是，存储器1还包括第一中间层111和第二中间层112，第一中间层111位于翅102与漏极105之间，第二中间层112位于翅102与源极106之间。
[0036]需要理解的是，第一中间层111和第二中间层112与翅102反向，当翅102为N阱型时，第一中间层111和第二中间层112为P阱型。当翅102为P阱型时，第一中间层111和第二中间层112为N阱型。
[0037]需要理解的是，第一中间层111和第二中间层112设置在翅102上的方式，可以通过沉积的方式，也可以通过溅射的方式将第一中间层111和第二中间层112设置在翅102上，制作时，先制作第一中间层111和第二中间层112后，在制作漏极105和源极106。
[0038]需要理解的是，第一中间层111与漏极105之间还设置有第一硅层114，第二中间层112与源极106之间还设置有第二硅层115，第一硅层114和第二硅层115为多晶硅，制作时，第一硅层114，第二中间层112在第一中间层111和第二中间层112制作后制作，然后再分别制作漏极105和源极106。
[0039]需要理解的是，衬底101可以为单晶硅衬底、单晶锗衬底、绝缘体上硅衬底或绝缘体上锗衬底。衬底101可以是大致的平板状。翅102可以通过蚀刻的方式形成，翅102为长条形，蚀刻的工艺是本领域熟知的，本技术不对其做特别地限定。
[0040]需要理解的是，第一介质层103、第二介质层107和第三介质层108均可以采用氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
[0041]实施例2
[0042]如图3-4，一种存储器1，包括衬底101、翅102、第一介质层103、栅极104、源极106和漏极105，存储器1还设置有凸台113和绝缘层116，绝缘层116设置在衬底101上，凸台113位于绝缘层116上，翅102位于凸台113上，凸台113为绝缘的凸台，第一介质层103设置在相邻的翅102之间，使各个翅102相互独立，栅极104位于源极106和漏极105之间，源极106与漏极105分别与翅102相连，第一介质层103上开有沟槽，栅极104位于沟槽内，栅极104与沟槽之间设置有第二介质层107，栅极104上设置有第三介质层108，第三介质层108与栅极104之间还设置有第一氢阻断层109。
[0043]需要理解的是，衬底101可以为单晶硅衬底、单晶锗衬底、绝缘体上硅衬底或绝缘体上锗衬底。衬底101可以是大致的平板状。翅102可以通过蚀刻的方式形成，蚀刻的工艺是本领域熟知的，本技术不对其做特别地限定。
[0044]需要理解的是，在工艺制作中，可以先在衬底101通过蚀刻等方法蚀刻出翅102，然后在翅102覆盖防止热氧化的膜，然后将衬底101放入热氧化的环境中氧化至凸台113完全氧化，这样就形成了绝缘的凸台113和绝缘层116，由于翅102被绝缘的材料包围，从而导致漏电流减小。
[0045]需要理解的是，第一氢阻断层109可以为氮化硅，第一氢阻断层109提供更好的氢H阻挡能力，改善热载流子效应和负偏压温度不稳定性。
[0046]需要理解的是，存储器1还包括第二氢阻断层110，第二氢阻断层110可以为氧化铝，氧化铝具有较氮化硅优异的氢阻挡能力，在第一氢阻断层109和第二氢阻断层110的协
同下，在不改变存储器1厚度的情况下就可以起到提高氢阻挡能力的作用，以改善热载流子效应和负偏压温度不稳定性，换句话说，在提高氢阻挡能力的情况下，并不增加整体的尺寸。
[0047]需要理解的是，沟槽形成后，先在沟槽内制作第二介质层107，然后制作栅极104、第一氢阻断层109、第二氢阻断层110和第三介质层108。
[0048]需要理解的是，存储器1还包括第一中间层111和第二中间层112，第一中间层111位于翅102与漏极105之间，第二中间层112位于翅102与源极106之间。
[0049]需要理解的是，第一中间层111和第二中间层112与翅102反向，当翅102为N阱型时，第一中间层111本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带转换电路的存储装置，包括电平转换器以及存储器，其特征在于，所述存储器包括衬底、翅、第一介质层、栅极、源极和漏极，存储器还设置有凸台和绝缘层，绝缘层设置在衬底上，凸台位于绝缘层上，翅位于凸台上，凸台为绝缘的凸台，第一介质层设置在相邻的翅之间，使各个翅相互独立，栅极位于源极和漏极之间，源极与漏极分别与翅相连，第一介质层上开有沟槽，栅极位于沟槽内，栅极与沟槽之间设置有第二介质层，栅极上设置有第三介质层，第二介质层由第二介质上层和第二介质下层组成，第二介质上层的厚度大于第二介质下层的厚度，第二介质上层和第二介质下层均沿着栅极的延伸方向连续延伸。2.根据权利要求1所述的带转换电路的存储装置，其特征在于：所述第二介质上层的底部低于源极和漏极的底部。3.根据权利要求2所述的带转换电路的存储装置，其特征在于：所述第三介质层与栅极之间还设置有第一氢阻断层。4.根据权利要求3所述的带转换电路的存储装置，其特征在于：所述存储器还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵万里，曹立冬，
申请(专利权)人：合肥立万芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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