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本技术包括半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置包括第一半导体层、各自设置在第一半导体层上的单元堆叠和外围堆叠、在第一方向上延伸并且穿透单元堆叠和外围堆叠的第一缝隙结构、穿透外围堆叠并且与第一缝隙结构间隔开的穿透结构、以及穿透外围堆...
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