半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法制造方法及图纸

本技术包括半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：堆叠，其包括导电图案和绝缘图案；沟道结构，其穿透该堆叠；以及存储器图案，其在导电图案与沟道结构之间。该存储器图案包括阻挡图案、隧道图案、存储图案和铁电图案。存储图案和铁电图案。存储图案和铁电图案。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年10月11日提交的韩国专利申请号10-2019-0126163的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开一般地涉及半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法，并且更特别地涉及三维半导体存储器装置和操作三维半导体存储器装置的方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器装置包括能够存储数据的存储器单元。
[0005]根据存储和维持数据的方法，半导体存储器装置可以被分类为易失性半导体存储器装置和非易失性半导体存储器装置。易失性半导体存储器装置是在其中所存储的数据在电源中断时会丢失的存储器装置，并且非易失性半导体存储器装置是在其中所存储的数据即使电源中断也被维持的存储器装置。
[0006]近来，随着便携式电子装置的使用增加，非易失性半导体存储器装置的使用增加，并且为了便携性和大容量要求半导体存储器装置的高集成度和大容量。为了这种高集成度和大容量，三维半导体存储器装置已经被提出。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，包括：堆叠，包括导电图案和绝缘图案；沟道结构，穿透所述堆叠；以及存储器图案，在所述导电图案与所述沟道结构之间，其中所述存储器图案包括：阻挡图案，与所述导电图案接触；隧道图案，与所述沟道结构接触；存储图案，在所述阻挡图案与所述隧道图案之间；以及铁电图案，在所述阻挡图案与所述隧道图案之间。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述铁电图案围绕所述存储图案。3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述阻挡图案、所述隧道图案、所述存储图案和所述铁电图案的上表面与所述绝缘图案的下表面接触。4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述铁电图案包括彼此间隔开的多个铁电图案。5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中所述存储器图案进一步包括在所述铁电图案之间的分离图案。6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中所述分离图案包括氧化硅。7.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中所述铁电图案包括不同的铁电材料。8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述存储器图案进一步包括在所述铁电图案与所述存储图案之间的分离图案。9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述铁电图案包括氧化铪、氧化锆、锆铪氧化物和硅铪氧化物中的至少一种。10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述铁电图案具有正交晶系的晶体结构。11.一种半导体存储器装置，包括：堆叠，包括导电图案和绝缘图案；沟道结构，穿透所述堆叠；以及存储器图案，在所述导电图案与所述沟道结构之间；其中所述存储器图案包括：铁电图案，彼此间隔开；以及存储图案，在所述铁电图案之间。12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中所述铁电图案包括：第一铁电图案和第二铁电图案，在所述存储图案与所述沟道结构之间；以及第三铁电图案，在所述存储图案与所述导电图案之间。13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中所述存储器图案包括：第一分离图案，在所述存储图案与所述第二铁电图案之间；以及第二分离图案，在所述第三铁电图案与所述存储图案之间。14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中所述存储器图案进一步包括在所述第三铁电图案与所述导电图案之间的阻挡图案。
15.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中所述存储器图案进一步包括在所述第一铁电图案与所述第二铁电图案之间的第三分离图案。16.一种半导体存储器装置，包括：堆叠，包括通孔和连接到所述通孔的凹部；阻挡膜，覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建泳，金宣荣，李在吉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：