动态供电转移制造技术

很多方面通常涉及接收器，尤其涉及将高压输入信号(102)转换成低压信号(135)的接收器。高压输入信号(102)被分离成上部和下部。上部耦合至一个高输入接收器(115)，该高输入接收器由动态供电移位器供电，该动态供电移位器可以在运行期间改变供电电压以优化切换。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】动态供电转移相关申请的交叉参考本专利申请要求2018年8月28日提交的题为“动态电源转移”的专利申请16/114,524的权益，并且该专利申请被转让给本受让人并且在此明确地通过引用并入本文。
本公开的诸多方面总体上涉及接收器，并且具体地涉及将高压输入信号转换成低压信号的接收器。
技术介绍
随着半导体技术已经发展到较小的工艺节点，供电电压也随着晶体管尺寸的调整而缩小。同样，用于I/O信号的输入/输出(I/O)供电电压也已按比例缩小。但是，仍然可能需要支持来自具有较高电压电平的信号方面的输入/输出(I/O)标准。因此，集成电路(IC)可能需要输入接收器，该输入接收器可以接收处于第一电压电平的输入信号并输出处于较低的第二电压电平的信号。考虑到各种供电电压之间的差异，如果输入接收器中的装置的端子(栅极至源极、栅极至漏极或漏极至源极)两端的电压差超过该装置的最大额定电压水平，则该装置可能会受压并出现故障。在此需要用于接收较高电压信号并将其转换为较低电压信号的机制和方法。
技术实现思路
所描述的方面通常涉及接收器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种输入接收器，用于从由高供电电压供电的高电源域接收高电源域输入信号，其中所述输入接收器位于由低供电电压供电的低电源域内，所述输入接收器包括：/n波形分离器，被配置为将所述高电源域输入信号分离成高压信号和低压信号，所述高压信号大于或等于所述低供电电压，所述低压信号小于或等于所述低供电电压，其中，所述高供电电压大于所述低供电电压；/n低压输入接收器，被耦合至所述低压信号，所述低压输入接收器由所述低供电电压和地供电；/n高压输入接收器，被耦合至所述高压信号，所述高压接收器由所述高供电电压和所述低供电电压供电；/n高压输入接收器副本，被耦合至所述高压信号，所述高压输入接收器副本由所述高供电电压和...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180828 US 16/114,5241.一种输入接收器，用于从由高供电电压供电的高电源域接收高电源域输入信号，其中所述输入接收器位于由低供电电压供电的低电源域内，所述输入接收器包括：
波形分离器，被配置为将所述高电源域输入信号分离成高压信号和低压信号，所述高压信号大于或等于所述低供电电压，所述低压信号小于或等于所述低供电电压，其中，所述高供电电压大于所述低供电电压；
低压输入接收器，被耦合至所述低压信号，所述低压输入接收器由所述低供电电压和地供电；
高压输入接收器，被耦合至所述高压信号，所述高压接收器由所述高供电电压和所述低供电电压供电；
高压输入接收器副本，被耦合至所述高压信号，所述高压输入接收器副本由所述高供电电压和所述低供电电压供电；
其中当所述低压输入接收器的输出变高时，所述高压接收器的所述高供电电压和所述低供电电压被移位至较低电压电平；
当所述高压输入接收器的输出变高时，所述高压接收器的所述低供电电压被增加至所述低供电电压电平；以及
当所述高压输入接收器副本的输出变高时，所述高压接收器的所述高供电电压被增加至所述高供电电压电平。


2.根据权利要求1所述的输入接收器，其中所述高电源域是I/O电源域，且所述高供电电压是I/O供电电压，并且其中所述低电源域是核心电源域，且所述低供电电压是核心供电电压。


3.根据权利要求1所述的输入接收器，其中所述高电源域是第一I/O电源域，且所述高供电电压是第一I/O供电电压，并且其中所述低电源域是第二I/O电源域，且所述低供电电压是第二I/O供电电压。


4.根据权利要求1所述的输入接收器，其中所述高压输入接收器包括反相器，所述反相器包括与NMOS晶体管串联的PMOS晶体管，并且其中所述NMOS晶体管的源极耦合至用于提供所述低供电电压的低供电节点，并且其中所述PMOS晶体管的源极耦合至用于提供所述高供电电压的高供电节点。


5.根据权利要求1所述的输入接收器，其中所述低压输入接收器包括反相器，所述反相器包括与NMOS晶体管串联的PMOS晶体管，并且其中所述NMOS晶体管的源极耦合至地，并且其中所述PMOS晶体管的源极耦合至用于提供所述低供电电压的低供电节点。


6.一种输入接收器，用于从由高供电电压供电的高电源域接收高电源域输入信号，其中所述输入接收器位于由低供电电压供电的低电源域内，所述输入接收器包括：
波形分离器，被配置为将所述高电源域输入信号分离成高压信号和低压信号，所述高压信号大于或等于所述低供电电压，所述低压信号小于或等于所述低供电电压，其中所述高供电电压大于所述低供电电压；
低压输入接收器，被耦合至所述低压信号，所述低压输入接收器由所述低供电电压和地供电；
动态高供电移位器，被耦合至所述高压供电电压，并被配置为输出移位后的高供电电压；
动态低供电移位器，被耦合至所述低压供电电压，并被配置为输出移位后的低供电电压；
高压输入接收器，被耦合至所述高压信号，所述高压接收器由所述移位后的高供电电压和所述移位后的低供电电压供电；
高压输入接收器副本，被耦合至所述高压信号，所述高压输入接收器副本由所述高供电电压和所述低供电电压供电；
其中当所述低压输入接收器的输出变高时，所述移位后的高供电电压和所述移位后的低供电电压被移位至较低电压电平；
当所述高压输入接收器的输出变高时，所述移位后的低供电电压接收器被增加至所述低供电电压电平；以及
当所述高压输入接收器副本输出的输出变高时，所述移位后的高供电电压被增加至所述高供电电压电平。


7.根据权利要求6所述的输入接收器，其中所述高电源域是I/O电源域，且所述高供电电压是I/O供电电压，并且其中所述低电源域是核心电源域，且所述低供电电压是核心供电电压。


8.根据权利要求6所述的输入接收器，其中所述高电源域是第一I/O电源域，且所述高供电电压是第一I/O供电电压，并且其中所述低电源域是第二I/O电源域，且所述低供电电压是第二I/O供电电压。


9.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·J·陈，CG·谭，S·劳，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US