【技术实现步骤摘要】
逻辑电路
本专利技术的实施例涉及芯片设计领域，具体涉及一种逻辑电路。
技术介绍
在芯片的集成电路中，经常需要用到大驱动的逻辑电路，用于对多组输入信号分别执行或非运算、与非运算、或运算及与运算等逻辑运算。随着芯片设计向更先进工艺的推进，晶体管的尺寸变得越来越小，同时线宽也变得越来越窄，这使得在14nm工艺及以下节点时，流经金属连线与连接孔的平均电流会引起一种直流现象，这种直流现象称为电迁移(Electromigration，EM)。电迁移造成的故障可能是灾难性的，并且这些故障一般都发生在用户方。此时，芯片早已安装在大系统中的基板上，一旦出现问题，就可能使得芯片被召回。在先进工艺节点下，电迁移问题变得越发显著，已成为芯片设计中不可忽略的一部分。现有逻辑电路的电迁移效应仍比较显著，如何改善逻辑电路的电迁移效应，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是改善逻辑电路的电迁移效应。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种逻辑电路，所述逻辑电路包括：第一电路，及...
【技术保护点】
1.一种逻辑电路，其特征在于，包括：第一电路，及与所述第一电路连接的第二电路；所述第一电路与所述第二电路连接的一端，为所述逻辑电路的输出端；/n所述第一电路及第二电路，均与第一输入信号输出端及第二输入信号输出端连接，适于对所述第一输入信号及第二输入信号执行逻辑运算；/n其中，所述第一电路包括：第一逻辑支路，及与所述第一逻辑支路并联的第二逻辑支路；所述第一逻辑支路及第二逻辑支路共由N个第一MOS管构成，所述N个第一MOS管中，N/2个第一MOS管与所述第一输入信号输出端连接，N/2个第一MOS管与所述第二输入信号输出端连接；N为偶数且N≥6；/n所述第一逻辑支路与第二逻辑支路...
【技术特征摘要】
1.一种逻辑电路，其特征在于，包括：第一电路，及与所述第一电路连接的第二电路；所述第一电路与所述第二电路连接的一端，为所述逻辑电路的输出端；
所述第一电路及第二电路，均与第一输入信号输出端及第二输入信号输出端连接，适于对所述第一输入信号及第二输入信号执行逻辑运算；
其中，所述第一电路包括：第一逻辑支路，及与所述第一逻辑支路并联的第二逻辑支路；所述第一逻辑支路及第二逻辑支路共由N个第一MOS管构成，所述N个第一MOS管中，N/2个第一MOS管与所述第一输入信号输出端连接，N/2个第一MOS管与所述第二输入信号输出端连接；N为偶数且N≥6；
所述第一逻辑支路与第二逻辑支路相连接的一端，与所述第二电路连接；
所述第二电路由N个并行连接的第二MOS管构成，所述N个并行连接的第二MOS管中，N/2个第二MOS管与所述第一输入信号输出端连接，N/2个第二MOS管与所述第二输入信号输出端连接。
2.如权利要求1所述的逻辑电路，其特征在于，所述第一MOS管为PMOS管，所述第二MOS管为NMOS管，所述逻辑电路适于对所述第一输入信号及第二输入信号执行或非运算。
3.如权利要求2所述的逻辑电路，其特征在于，所述第一逻辑支路由两个串联连接第一PMOS管及第二PMOS管构成，其中，所述第一PMOS管的栅极与所述第二输入信号输出端连接，源极与电源电压输出端连接，漏极与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第二PMOS管的栅极与所述第一输入信号输出端连接，源极与所述第二MOS管的漏极连接。
4.如权利要求3所述的逻辑电路，其特征在于，所述第二逻辑支路，包括：第一逻辑子支路，所述第一逻辑子支路包括：第一逻辑模块及第二逻辑模块，
其中，所述第一逻辑模块与所述第二逻辑模块串联连接；所述第一逻辑模块由两个以上并联连接的第三PMOS管构成，所述第二逻辑模块由两个以上并联连接的第四PMOS管构成；
所述第三PMOS管的栅极与所述第二输入信号输出端连接，源极与电源电压输入端连接，漏极与所述第四PMOS管的漏极连接；所述第四PMOS管栅极与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李承龙，卢斌，侯开华，蔡燕飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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