【技术实现步骤摘要】
一种高精度的模拟乘除法器
本专利技术属于模拟芯片设计
，涉及一种高精度的模拟乘除法器。
技术介绍
数字乘法器虽然精度较高，但因为前端信号一般都是模拟量，需要前置模数转换器ADC从而增加了系统开销，且转换精度和功耗也需要折中，另外本身转换时延也是一些系统不能接受的。常用模拟乘法器/除法器/乘除法器做一些模拟信号的处理，如系统的功率检测（VxI）、平方律产生电路（X2）。而对于越来越高精度的系统要求，设计适用于宽范围输入的高精度乘除法器（如：100倍以上输入范围，0.5%的系统精度）时，因为器件的某些寄生影响成为设计挑战。如图1所示是现有技术对于高精度乘除法器的一种电路实现，利用三极管BJT的对数特性，利用三极管Q1、Q2、Q3、Q4基本保证实现输出电流Iout=IaxIb÷Ic，Ia、Ib、Ic分别是第一输入电流、第二输入电流和第三输入电流；但由于一般工艺限制，三极管的电流放大系数β在10~100之间，图1中三极管Q2的发射极电流实际由三极管Q1的基区电流和第二输入电流Ib共同组成，同理三极管Q3的发射极电流实际...
【技术保护点】
1.一种高精度的模拟乘除法器，其特征在于，包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和控制模块，/n第一NPN型三极管的集电极连接第一NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极和第一输入信号Ia，其基极连接第一NMOS管的源极、第二NPN型三极管的发射极和第一偏置电流，其发射极连接第四NPN型三极管的发射极并接地；/n第二NPN型三极管的集电极连接第二NMOS管的栅极和第二输入信号Ib，其基极连接第三NPN型三极管的基极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极和第二偏置电...
【技术特征摘要】
1.一种高精度的模拟乘除法器，其特征在于，包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和控制模块，
第一NPN型三极管的集电极连接第一NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极和第一输入信号Ia，其基极连接第一NMOS管的源极、第二NPN型三极管的发射极和第一偏置电流，其发射极连接第四NPN型三极管的发射极并接地；
第二NPN型三极管的集电极连接第二NMOS管的栅极和第二输入信号Ib，其基极连接第三NPN型三极管的基极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极和第二偏置电流；第一NMOS管和第二NMOS管的漏极连接电源电压；
第三NPN型三极管的集电极连接第三NMOS管的栅极和第三输入信号Ic，其发射极连接第四NPN型三极管的基极；
当第三输入信号Ic输入第三NPN型三极管的集电极时，第三NPN型三极管的集电极电压增大导致第三NMOS管流过电流；所述控制模块的输入端连接第三NMOS管的漏极，其输出端连接第三NPN型三极管的发射极；所述控制模块用于采样流过第三NMOS管的电流并根据采样结果控制第三NPN型三极管的集电极电压下降，使得第三NPN型三极管的集电极电压保持稳定且第三NPN型三极管的集电极电流始终为第三输入信号Ic的电流值；
第四NMOS管的源极连接第四NPN型三极管的集电极，其漏极输出所述模拟乘除法器的输出信号Iout=IaxIb÷Ic。
2.根据权利要求1所述的高精度的模拟乘除法器，其特征在于，所述控制模块包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，第八PMOS管的栅漏短接并连接第三NMOS管的漏极和第七PMOS管的栅极，其源极连接第七PMOS管的源极并连接电源电压；第六NMOS管的栅极连接第五NMOS管的栅极和漏极以及第七PMOS管的漏极，其源极连接第五NMOS管的源极并接地，其漏极连接第三NPN型三极管的发射极。
3.根据权利要求1或2所述的高精度的模拟乘除法器，其特征在于，第一NMOS管和第四NMOS管为相同类型的MOS管，第二NMOS管和第三NMOS管为相同类型的MOS管。
4.根据权利要求3所述的高精度的模拟乘除法器，其特征在于，所述第一偏置电流的电流值为Ib+Ibias，所述第二偏置电流的电流值为Ic+Ibias，其中Ibias为MOS管正常工作时的偏置电流值。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴越，
申请(专利权)人：上海南芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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