半导体层堆叠及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体层堆叠、由其组成的构件和构件模块，以及一种制造方法，其中，所述半导体层堆叠的特征在于至少两个层(A，B)，所述至少两个层作为单层分别具有半导体带隙(104、105)中如下费米能级(103)的能量位置：对于所述层(A)适用公式(I)，对于所述层(B)适用公式(II)，其中，E

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体层堆叠及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体层堆叠以及其制造方法。
技术介绍
绝缘的半导体层对于电绝缘和半导体构件结构的低的高频衰减是不可替代的。在此大多使用所谓的深杂质即在运行温度下仅低程度(即＜＜50％)电离的杂质。如果本征地或通过杂质存在半导体的电子传导，则通常使用深受主(Akzeptor)进行掺杂，反之，在空穴固有导电的情况下，使用深施主(Donator)进行掺杂。因为相应地在第一种情况下很好地阻止进入隔离层的电子注入，而在第二种情况下很好地阻止空穴注入，通过在InP中结合地同时掺杂深受主和深施主(例如深受主Fe和深施主Ti)改善绝缘性能[T.Wolf、T.Zinke、A.Krost、H.Scheffler、H.Ullrich、P.Harde和D.Bimberg，J.Appl.Phys.75,3870(1994)]。然而通常仅掺杂一种掺杂剂(Dotand)，因为在大多数情况下这足以实现绝缘效果，并且在工艺技术上也更易于控制。理想情况下，在半导体能隙的中心附近并且以一浓度存在深杂质，使得其能够捕获所有自由电荷载流子并且因此费米能级位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体层堆叠，其特征在于，/n至少两个层(A，B)，所述至少两个层作为单层在半导体带隙(104、105)中分别具有费米能级(103)的如下能量位置：对于所述层(A)适用

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180625 DE 102018115222.11.一种半导体层堆叠，其特征在于，
至少两个层(A，B)，所述至少两个层作为单层在半导体带隙(104、105)中分别具有费米能级(103)的如下能量位置：对于所述层(A)适用而对于所述层(B)适用其中，EF是所述费米能级(103)的能量位置，EV是价带(102)的能量位置，EL是导带(101)的能量位置，EL-EV是所述半导体带隙EG(104，105)的能量差，其中，如此选择所述层(A，B)的厚度(106，107)，使得在所述层(A，B)上产生连贯的空间电荷区区域(110)。


2.根据权利要求1所述的半导体层堆叠，其特征在于，在至少两个杂质能级中以一浓度引起非本征或本征的掺杂，所述至少两个杂质能级分别具有如下能量位置：对于所述能量位置，在一层(A)中适用而在另一层(B)中适用使得在这种无限厚的单层处的费米能级占据与所述杂质能级相同的能量位置，其容差为±50meV，其中，如此选择所述半导体层堆叠中的所述层的厚度，使得在整个层堆叠上构造连贯的空间电荷区区域(110)。


3.根据权利要求1或2所述的半导体层堆叠，其特征在于通过所述掺杂产生的深杂质能级的如下能量位置：对于所述能量位置在所述层(A)中适用而对于所述能量位置在所述层(B)中适用


4.根据权利要求1或2所述的半导体层堆叠，其特征在于所述空间电荷区区域(110)中的以下能量范围中的平均费米能量位置EF(108)：


5.根据以上权利要求中至少一项所述的半导体层堆叠，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·施特里马特，A·达加尔，
申请(专利权)人：奥托·冯·格里克马格德堡大学，阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE