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本发明涉及一种半导体层堆叠、由其组成的构件和构件模块，以及一种制造方法，其中，所述半导体层堆叠的特征在于至少两个层(A，B)，所述至少两个层作为单层分别具有半导体带隙(104、105)中如下费米能级(103)的能量位置：对于所述层(A)适用...该专利属于奥托·冯·格里克马格德堡大学;阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥托·冯·格里克马格德堡大学;阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司授权不得商用。