一种氮化镓基外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化镓基外延结构，由下至上包含衬底、成核层、缓冲层和氮化镓层；缓冲层由n个极化掺杂纳米单元层组成，2≤n＜100，所述极化掺杂纳米单元层为组分渐变的AlGaN层，AlGaN层的Al组分含量沿外延生长方向逐渐减小或增加。本实用新型专利技术利用周期性极化掺杂纳米单元层，可以减小背景自由电子浓度从而形成高阻值的缓冲层。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓基外延结构
本技术属于半导体
，特别涉及一种氮化镓基外延结构。
技术介绍
氮化镓（GaN）材料具有热稳定性高、抗辐射和耐腐蚀性优异、击穿场强大和高电子迁移速率快等优点，非常适合用于高频,高压高功率器件的制作。氮化镓基高电子迁移率场效应晶体管（HighElectronMobilityTransistor，HEMT）是目前最常用的的氮化镓基电子器件结构。氮化镓基HEMT是利用AlGaN层和GaN层的极化强度和禁带宽度的差异，在AlGaN/GaN异质结界面形成具有高浓度和高迁移率的二维电子气，从而形成具有通态电阻小，工作频率高器件耐压高的大功率场效应晶体管。通常获得高阻值GaN基外延材料的方法可以分为两大类：一种是通过控制GaN基薄膜外延生长过程的生长参数（例如：反应室气压，生长温度，生长速率，V/III比等），增加外延材料中的p-型杂质的数量或俘获电子的缺陷态密度，从而降低背景自由电子浓度，进而获得高阻值GaN基缓冲层。此种方法是通过引入缺陷杂质获得高阻值GaN外延层，是以牺牲晶体质量为代价而获得高阻值，同时，在控制外延生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓基外延结构，其特征在于：由下至上包含衬底、成核层、缓冲层和氮化镓层；缓冲层由n个极化掺杂纳米单元层组成，2≤n＜100，所述极化掺杂纳米单元层为组分渐变的AlGaN层，AlGaN层的Al组分含量沿外延生长方向逐渐减小或增加。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基外延结构，其特征在于：由下至上包含衬底、成核层、缓冲层和氮化镓层；缓冲层由n个极化掺杂纳米单元层组成，2≤n＜100，所述极化掺杂纳米单元层为组分渐变的AlGaN层，AlGaN层的Al组分含量沿外延生长方向逐渐减小或增加。


2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基外延结构，其特征在于：所述极化掺杂纳米单元层的厚度范围为10nm-100nm。


3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：房育涛，林科闯，张恺玄，刘波亭，郑元宇，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35