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本实用新型公开了一种氮化镓基外延结构，由下至上包含衬底、成核层、缓冲层和氮化镓层；缓冲层由n个极化掺杂纳米单元层组成，2≤n＜100，所述极化掺杂纳米单元层为组分渐变的AlGaN层，AlGaN层的Al组分含量沿外延生长方向逐渐减小或增加。本...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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