一种GaN基外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GaN基外延结构，由下至上包括衬底、成核层、晶格匹配多量子阱缓冲层和GaN缓冲层；在晶格匹配多量子阱缓冲层中，每个多量子阱周期为InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层交错组成，InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层的晶格常数相等。本实用新型专利技术利用势垒层和势阱层的界面极化电荷形成的势阱，耗尽背景载流子，从而获得高阻值缓冲层。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN基外延结构
本技术属于半导体
，特别涉及一种GaN基外延结构。
技术介绍
氮化镓（GaN）基化合物半导体作为一种重要的第三代宽禁带半导体材料具有氮禁带宽度大、击穿场强高，耐高温、热导率高、电子饱和速率大和化学稳定性好等优点已经被广泛用于高频、高压、高功率的电力电子器件制作中。另外GaN可以和AlGaN或InAlGaN等合金化合物形成异质结，其异质结由于价带不连续性及压电极化和自发极化可以在界面形成高浓度的二维电子气从而可以用来制作高电子迁移率场效应晶体管（HighElectronMobilityTransistor，HEMT）器件。影响HEMT器件特性的主要材料特性是缓冲层的漏电和晶体质量。缓冲层漏电会导致器件关断时漏电的增加，减弱栅极对沟道电流控制能力从而影响器件的正常工作，另外缓冲层漏电还会使器件发热量增加和输出特性变差以至于影响到器件的使用寿命和可靠性。氮化镓缓冲层中的缺陷（位错，杂质等）会增加器件层电子散射和电子俘获从而影响器件导通电阻及动态特性，因此高质量的缓冲层也是提高器件性能的重要指标。金属有机化学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN基外延结构，其特征在于：由下至上包括衬底、成核层、晶格匹配多量子阱缓冲层和GaN缓冲层；在晶格匹配多量子阱缓冲层中，每个多量子阱周期为InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层交错组成，InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层的晶格常数相等。/n

【技术特征摘要】
1.一种GaN基外延结构，其特征在于：由下至上包括衬底、成核层、晶格匹配多量子阱缓冲层和GaN缓冲层；在晶格匹配多量子阱缓冲层中，每个多量子阱周期为InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层交错组成，InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层的晶格常数相等。


2.根据权利要求1所述的一种GaN基外延结构，其特征在于：多量子阱周期为5-100个。


3.根据权利要求1所述的一种GaN基外延结构，其特征在于：In...

【专利技术属性】
技术研发人员：房育涛，林志东，张恺玄，刘波亭，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35