氮化物半导体器件及其基板、和稀土元素添加氮化物层的形成方法、以及红色发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种氮化物半导体层的制造技术，在偏角倾斜基板上形成氮化物半导体层来制作半导体器件时，不存在与GaN发生混晶化而招致产生晶格应变、晶体缺陷的风险，另外，使用无需持续性添加的材料，来防止宏观台阶的发生，由此能够稳定地供给高品质的半导体器件。一种氮化物半导体器件，其是在基板上设置氮化物半导体层而构成的氮化物半导体器件，基板为偏角倾斜基板，在基板上设有添加有稀土元素的稀土元素添加氮化物层作为基底处理层，在稀土元素添加氮化物层之上设有氮化物半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体器件及其基板、和稀土元素添加氮化物层的形成方法、以及红色发光器件及其制造方法
本专利技术涉及氮化物半导体器件及其基板、和稀土元素添加氮化物层的形成方法、以及红色发光器件及其制造方法。
技术介绍
近年来，发光二极管(LED：LightEmittingDiode)、激光二极管(LD：LaserDiode)等发光器件被广泛使用。例如LED被用于各种显示器件、以移动电话为首的液晶显示器的背光灯、白色照明等，另一方面，LD作为蓝光光盘用光源被用于高清视频的录制播放、光通信、CD、DVD等。另外，最近，移动电话用MMIC(monolithicmicrowaceintegratedcircuit：单片微波集成电路)、HEMT(HighElectronMobilityTransistor：高电子迁移率晶体管)等高频器件、面向汽车关联的逆变器用功率晶体管、肖特基势垒二极管(SBD)等高输出功率器件的用途扩大。构成这些器件的半导体元件一般通过在蓝宝石等的基板上形成氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)等氮化物半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，是在基板上设置氮化物半导体层而构成的氮化物半导体器件，/n所述基板为偏角倾斜基板，/n在所述基板之上，设有添加有稀土元素的稀土元素添加氮化物层作为基底处理层，/n在所述稀土元素添加氮化物层之上，设有氮化物半导体层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180903 JP 2018-164868;20190222 JP 2019-0299381.一种氮化物半导体器件，其特征在于，是在基板上设置氮化物半导体层而构成的氮化物半导体器件，
所述基板为偏角倾斜基板，
在所述基板之上，设有添加有稀土元素的稀土元素添加氮化物层作为基底处理层，
在所述稀土元素添加氮化物层之上，设有氮化物半导体层。


2.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述稀土元素添加氮化物层是在GaN、InN、AlN、或这些中的任两种以上的混晶中添加有所述稀土元素的层。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述稀土元素添加氮化物层中的所述稀土元素的添加浓度为0.001at％～10at％。


4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述稀土元素添加氮化物层的厚度为0.1nm以上。


5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述稀土元素为Eu。


6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述基板是蓝宝石、SiC、Si中的任意种，或者是包含GaN、InN、AlN、或这些中的任两种以上的混晶的氮化物半导体。


7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述氮化物半导体器件是发光器件、高频器件、高输出功率器件中的任意。


8.一种基板，其特征在于，是制作氮化物半导体器件时使用的基板，
在偏角倾斜基板之上，设置添加有稀土元素的稀土元素添加氮化物层而构成。


9.根据权利要求8所述的基板，其特征在于，
所述稀土元素添加氮化物层是在GaN、InN、AlN、或这些中的任两种以上的混晶中添加有所述稀土元素的层。


10.根据权利要求8或权利要求9所述的基板，其特征在于，
所述稀土元素添加氮化物层中的所述稀土元素的添加浓度为0.001at％～10at％。


11.根据权利要求8至权利要求10中任一项所述的基板，其特征在于，
所述稀土元素添加氮化物层的厚度为0.1nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：市川修平，藤原康文，馆林润，
申请(专利权)人：国立大学法人大阪大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP