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本发明提供一种氮化物半导体层的制造技术，在偏角倾斜基板上形成氮化物半导体层来制作半导体器件时，不存在与GaN发生混晶化而招致产生晶格应变、晶体缺陷的风险，另外，使用无需持续性添加的材料，来防止宏观台阶的发生，由此能够稳定地供给高品质的半导体...
该专利属于国立大学法人大阪大学所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人大阪大学授权不得商用。

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