摄像装置及电子设备制造方法及图纸

提供一种包括光源的薄型摄像装置。一种包括发射红外光的发光器件的摄像装置，其中，像素电路所包括的光电转换器件接收由发光器件发射且由拍摄对象反射的红外光。因为作为发光器件使用EL元件，所以可以构成包括光源的薄型摄像装置。此外，通过采用利用具有关态电流小的特性的氧化物半导体晶体管的像素电路，可以以全局快门方式进行摄像，即使拍摄对象移动也可以得到没有应变的图像。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置及电子设备
本专利技术的一个方式涉及一种摄像装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种程序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。因此，更具体而言，作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、它们的驱动方法或者它们的制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个方式。另外，存储装置、显示装置、摄像装置、电子设备有时包含半导体装置。
技术介绍
使用形成在衬底上的氧化物半导体薄膜构成晶体管的技术受到关注。例如，专利文献1公开了将包括氧化物半导体的关态电流非常低的晶体管用于像素电路的结构的摄像装置。[先行技术文献][专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，包括：/n第一层；以及/n第二层，/n其中，所述第一层及所述第二层包括彼此重叠的区域，/n所述第一层包括像素电路，/n所述第二层包括发光器件，/n所述像素电路包括光电转换器件及晶体管，/n所述发光器件包括第一电极、第二电极及发光层，/n所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，/n并且，所述光电转换器件包括不与所述第一电极重叠的区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180907 JP 2018-1676691.一种摄像装置，包括：
第一层；以及
第二层，
其中，所述第一层及所述第二层包括彼此重叠的区域，
所述第一层包括像素电路，
所述第二层包括发光器件，
所述像素电路包括光电转换器件及晶体管，
所述发光器件包括第一电极、第二电极及发光层，
所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，
并且，所述光电转换器件包括不与所述第一电极重叠的区域。


2.一种摄像装置，包括：
第一层；以及
第二层，
其中，所述第一层及所述第二层包括彼此重叠的区域，
所述第一层包括像素电路，
所述第二层包括发光器件，
所述发光器件包括第一电极、第二电极及发光层，
所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，
所述像素电路包括光电转换器件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及电容器，
所述光电转换器件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述电容器的一个电极电连接，
所述电容器的一个电极与所述第三晶体管的栅极电连接，
所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
并且，所述光电转换器件包括不与所述第一电极重叠的区域。


3.根据权利要求2所述的摄像装置，
其中所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接，
并且所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与所述发光器件的一个电极电连接。


4.一种摄像装置，包括：
第一层；以及
第二层，
其中，所述第一层及所述第二层包括彼此重叠的区域，
所述第一层包括像素电路，
所述第二层包括发光器件，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，濑尾哲史，楠纮慈，池田隆之，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP