【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及其制造方法及显示装置
本申请实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法及使用该阵列基板的显示装置。
技术介绍
随著现有有源矩阵有机发光二极体工艺技术提升,显示屏解析度越做越高,由于解析度提高,供给有机发光二极管的电流因面积减小而减小,为了能降低开关电流,达到器件的工作范围,薄膜晶体管的器件尺寸宽长比(W/L)通常也需要降低，才能满足有机发光二极管的需求电流，但当薄膜晶体管的长度增加,相对设计空间会受到影响,不利于后续往更高解析度发展。目前以低温多晶氧化物技术为开发方向，现有低温多晶氧化物工艺利用低温多晶硅技术与铟镓锌氧化物技术定义元件为P型与N型半导体，然而低温多晶氧化物技术设备昂贵且低温多晶硅技术工艺生产效率较低。
技术实现思路
本申请实施例旨在提供一种阵列基板及其制造方法及使用该阵列基板的显示装置，以解决现有技术中阵列基板生产效率不高的技术问题。本申请实施例解决其技术问题提供以下技术方案：一种阵列基板的制造方法，包括：在基底上形成第一有源层；在所述第一有源层上形...
【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，/n在基底上形成第一有源层；/n在所述第一有源层上形成栅绝缘层；/n在所述栅绝缘层上同时形成间隔设置的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极位于所述第一有源层的正上方；/n在所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述栅绝缘层上形成所述层间绝缘层；/n在所述层间绝缘层上形成第二有源层，所述第二有源层设于所述第二栅电极的正上方，其中所述第一有源层和所述第二有源层分别由不同的材料制得，进而使得所述第一有源层和所述第二有源层的电学性能不同；/n在所述第二有源层的相对两侧形成第二源电极和第二漏电极。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种阵列基板的制造方法，其特征在于，
在基底上形成第一有源层；
在所述第一有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上同时形成间隔设置的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极位于所述第一有源层的正上方；
在所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述栅绝缘层上形成所述层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成第二有源层，所述第二有源层设于所述第二栅电极的正上方，其中所述第一有源层和所述第二有源层分别由不同的材料制得，进而使得所述第一有源层和所述第二有源层的电学性能不同；
在所述第二有源层的相对两侧形成第二源电极和第二漏电极。
根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述在所述基底上形成第一有源层，包括：
在所述基底上形成第一金属氧化物半导体层，并对所述第一金属氧化物半导体层进行图案化，以形成所述第一有源层。
根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述在所述层间绝缘层上形成第二有源层，包括：
在所述层间绝缘层上形成第二金属氧化物半导体层，并对所述第二金属氧化物半导体层进行图案化，以形成所述第二有源层，所述第二金属氧化物的载流子迁移率低于所述第一金属氧化物的载流子迁移率。
根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述在所述第一有源层上形成栅绝缘层的步骤包括：在所述第一有源层的两相对侧分别形成第一源电极和第一漏电极，在所述第一有源层、所述第一源电极和第一漏电极上形成栅绝缘层。
根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述在所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述栅绝缘层上形成所述层间绝缘层之后，还包括：
在所述层间绝缘层、所述栅绝缘层上形成与所述第一有源层的两侧对应的过孔，并且在所述层间绝缘层上同时形成第一源电极、第一漏极、所述第二源电极和所述第二漏电极，所述第一源电极和所述第一漏极分别通过所述过孔与所述第一有源层接触。
根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述在基底上形成第一有源层的步骤之前包括：
在所述基底上形成柔性基板，所述第一有源层形成在所述柔性基板上。
根据权利要求6所述的方法，其特征在于：
所述在基底上形成第一有源层的步骤之前还包括：
在所述柔性基板上形成缓冲层，所述第一有源层形成在所述缓冲层上。
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，
在基底上形成第一栅电极；
在所述第一栅电极上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成正对应所述第一栅电极的第一有源层；
在所述栅绝缘层、所述第一有源层上同时形成第一源电极、第一漏电极和第二栅电极，所述第一源电极和所述第一漏电极分别与所述第一有源层的相对两侧接触，所述第二栅电极在与所述第一栅电极间隔预设距离处形成；
在所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二栅电极和所述栅绝缘层上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成第二有源层，所述第二有源层位于所述第二栅电极的正上方，其中所述第一有源层和所述第二有源层分别由不同的材料制得，进而使得所述第一有源层和所述第二有源层的电学性能不同；
在所述第二有源层的相对两侧形成第二源电极和第二漏电极。
根据权利要求8所述的方法，其特征在于：
所述在所述栅绝缘层上形成正对应所述第一栅电极的第一有源层，包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：高伟程，蔡武卫，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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