一种应变GeSiOI衬底及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种应变GeSiOI衬底及其制作方法。一种应变GeSiOI衬底包括由下至上依次堆叠的：硅衬底，第一氧化硅层，多个氮化硅分隔条；第二氧化硅层；Ge

【技术实现步骤摘要】
一种应变GeSiOI衬底及其制作方法
本专利技术涉及半导体材料及生产工艺领域，特别涉及一种应变GeSiOI衬底及其制作方法。
技术介绍
集成电路器件特征尺寸现已到达3-5nm，受物理效应的限制，要实现进一步微缩，新材料与材料工程必不可少。绝缘体上的锗硅GeSiOI(Germanium&silicon-On-Insulator)结合了Ge和SOI结构的优势，它已经成为制备p-沟道MOSFETs和MSM(Metal-Semiconductor-Metal)光电探测器的理想材料。GeSiOI的结构与SOI相似，在顶层Ge1-xSix和背衬底之间引入了一层埋氧化层。Ge1-xSix(0＜x＜1)基器件具有以下特点：1)具备Ge1-zSiz材料的高迁移率，有利于提升器件开态电流，提升器件性能；2)结合了绝缘体上器件低亚阈值摆幅、低寄生电容、低功耗、以及高驱动电流的优势，其有望在未来得到广泛应用。在GeSiOI具有以上优势的基础上，采用应变工程，有利于进一步提升器件沟道迁移率与开态电流，提升器件性能。目前制作应变GeSiOI衬底的方法是：先本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应变GeSiOI衬底，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的：/n硅衬底，/n第一氧化硅层，/n多个氮化硅分隔条，所述分隔条间隔分布在所述第一氧化硅层的表面；/n第二氧化硅层，所述第二氧化硅层填充所述分隔条之间的缝隙并覆盖所述分隔条；/nGe

【技术特征摘要】
1.一种应变GeSiOI衬底，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的：
硅衬底，
第一氧化硅层，
多个氮化硅分隔条，所述分隔条间隔分布在所述第一氧化硅层的表面；
第二氧化硅层，所述第二氧化硅层填充所述分隔条之间的缝隙并覆盖所述分隔条；
Ge1-xSix层；
其中，0＜x＜1。


2.根据权利要求1所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，在所述第二氧化硅层和所述Ge1-xSix层之间还包括高k介质层。


3.根据权利要求2所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，所述高k介质层为氧化铝。


4.根据权利要求1所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，0＜x≤0.3。


5.根据权利要求1所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，所述分隔条平行分布。


6.根据权利要求1-5任一项所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，所述硅衬底为硅(100)衬底。


7.一种应变GeSiOI衬底的制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：亨利·H·阿达姆松，王桂磊，罗雪，孔真真，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44