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本发明涉及一种应变GeSiOI衬底及其制作方法。一种应变GeSiOI衬底包括由下至上依次堆叠的：硅衬底，第一氧化硅层，多个氮化硅分隔条；第二氧化硅层；Ge...
该专利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院授权不得商用。

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