阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：提供一基底；在所述基底上形成一第一金属基层，所述第一金属基层的材料为铝；在所述第一金属基层上沉积铜原子，扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层，未扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层，所述第一合金层和所述第一金属层形成栅极结构层。本申请降低了栅极与邻近的金属走线之间的短路风险。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
随着人们对高分辨率以及高画面刷新速率的显示屏的需求，对显示屏中导电膜层的导电性能有了更高的要求。目前，铜因其优良的导电性能成为显示屏中应用广泛的导电材料。在阵列基板的制备工艺中，当栅极采用铜作为导电材料时，由于铜和玻璃基板之间的附着力较差，因此，通常在铜所在膜层的下方沉积一层阻挡层，以提高铜在玻璃基板上的附着效果。常用的阻挡层材料有钼、钛、钼钛合金、钼铌合金以及钼钽合金等，但上述阻挡层材料的靶材制作工艺较复杂，加工难度大，价格也较高。铝因其靶材的价格便宜，且与玻璃基板之间具有良好的附着力而成为一种优良的阻挡层材料。然而，当采用铝作为阻挡层的材料时，在栅极金属层的刻蚀工艺中，铝会在刻蚀液中发生钝化而导致阻挡层无法刻蚀完全，从而增加了栅极与邻近金属走线之间的短路风险。
技术实现思路
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以降低采用铝作为阻挡层材料时，栅极与邻近金属走线之间的短路风险。本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底上形成一第一金属基层，所述第一金属基层的材料为铝；在所述第一金属基层上沉积铜原子，扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层，未扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层，所述第一合金层和所述第一金属层形成栅极结构层。可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述基底上形成一第一金属基层的步骤，包括：提供一第一靶材，所述第一靶材的材料为铝；在所述基底上沉积从所述第一靶材中溅射出的铝原子，以形成一第一金属基层。可选的，在本申请的一些实施例中，所述形成一第一合金层和一第一金属层的步骤，包括：提供一第二靶材，所述第二靶材的材料为铜；在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子，所述铜原子扩散至所述第一金属基层中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层；继续在所述第一合金层上沉积所述铜原子，以形成一第一金属层。可选的，在本申请的一些实施例中，所述形成一第一合金层的步骤，包括：在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子，所述铜原子扩散至所述第一金属基层远离所述基底的部分中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述第一金属基层未掺杂所述铜原子的部分为第二金属层，所述铜铝合金在所述第二金属层上形成一第一合金层，所述第一合金层的厚度大于所述第二金属层的厚度，所述第一金属层、所述第一合金层和所述第二金属层形成所述栅极结构层。可选的，在本申请的一些实施例中，所述形成一第一合金层和一第一金属层的步骤，包括：提供一第二靶材，所述第二靶材的材料为铜；在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子，以形成一第二金属基层；在一预设温度下，所述第二金属基层中的所述铜原子扩散至所述第一金属基层中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层，所述第二金属基层中未扩散至所述第一金属基层的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层,所述预设温度介于300摄氏度-400摄氏度之间。可选的，在本申请的一些实施例中，所述形成一第一合金层的步骤，包括：在所述预设温度下，所述第二金属基层中的所述铜原子扩散至所述第一金属基层远离所述基底的部分中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述第一金属基层未掺杂所述铜原子的部分为第二金属层，所述铜铝合金在所述第二金属层上形成一第一合金层，所述第一合金层的厚度大于所述第二金属层的厚度，所述第一金属层、所述第一合金层和所述第二金属层形成所述栅极结构层。可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属基层的厚度介于10埃-200埃之间。本申请实施例还提供一种阵列基板，其包括：基底；以及栅极结构层，所述栅极结构层包括依次设置于所述基底上的第一合金层和第一金属层，所述第一合金层的材料为铜铝合金，所述第一金属层的材料为铜。可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极结构层还包括第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一合金层靠近所述基底的一侧，所述第一合金层的厚度大于所述第二金属层的厚度。本申请实施例还提供一种显示面板，其包括上述任一实施例所述的阵列基板。本申请提供的阵列基板的制备方法包括以下步骤：提供一基底；在所述基底上形成一第一金属基层，所述第一金属基层的材料为铝；在所述第一金属基层上沉积铜原子，扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层，未扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层，所述第一合金层和所述第一金属层形成栅极结构层。本申请通过以铜和铝掺杂形成的铜铝合金作为栅极下方的阻挡层材料，由于铜铝合金在栅极结构层的刻蚀过程中不会发生钝化现象，因而在提高铜所在的第一金属层在基底上的附着力的同时，保证了铜铝合金形成的第一合金层能够被刻蚀液蚀刻完全，从而降低了栅极与邻近金属走线之间的短路风险。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请提供的阵列基板的制备方法的第一种实施例的流程示意图。图2A至图2F是图1所示的阵列基板的制备方法中步骤B101至步骤B106依次得到的结构示意图。图3是本申请提供的阵列基板的制备方法的第二种实施例的流程示意图。图4A至图4B是图3所示的阵列基板的制备方法中步骤B103和步骤B104依次得到的结构示意图。图5是本申请提供的阵列基板的制备方法的第三种实施例的流程示意图。图6A至图6F是图5所示的阵列基板的制备方法中步骤B301至步骤B306依次得到的结构示意图。图7是本申请提供的阵列基板的制备方法的第四种实施例的流程示意图。图8A至图8B是图7所示的阵列基板的制备方法中步骤B303至步骤B304依次得到的结构示意图。图9是本申请提供的阵列基板的第一种实施例的结构示意图。图10是本申请提供的阵列基板的第二种实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一基底；/n在所述基底上形成一第一金属基层，所述第一金属基层的材料为铝；/n在所述第一金属基层上沉积铜原子，扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层，未扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层，所述第一合金层和所述第一金属层形成栅极结构层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基底；
在所述基底上形成一第一金属基层，所述第一金属基层的材料为铝；
在所述第一金属基层上沉积铜原子，扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层，未扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层，所述第一合金层和所述第一金属层形成栅极结构层。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上形成一第一金属基层的步骤，包括：
提供一第一靶材，所述第一靶材的材料为铝；
在所述基底上沉积从所述第一靶材中溅射出的铝原子，以形成一第一金属基层。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成一第一合金层和一第一金属层的步骤，包括：
提供一第二靶材，所述第二靶材的材料为铜；
在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子，所述铜原子扩散至所述第一金属基层中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层；
继续在所述第一合金层上沉积所述铜原子，以形成一第一金属层。


4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成一第一合金层的步骤，包括：
在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子，所述铜原子扩散至所述第一金属基层远离所述基底的部分中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述第一金属基层未掺杂所述铜原子的部分为第二金属层，所述铜铝合金在所述第二金属层上形成一第一合金层，所述第一合金层的厚度大于所述第二金属层的厚度，所述第一金属层、所述第一合金层和所述第二金属层形成所述栅极结构层。


5.根据权利要求2所述的阵列基...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44