【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态图像传感器、固态成像器件及制造固态图像传感器的方法
本专利技术涉及固态图像传感器、固态成像器件及制造固态图像传感器的方法。
技术介绍
在诸如电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器等固态图像传感器中，已经考虑为每个像素(固态图像传感器)提供贯通电极。这种固态图像传感器的示例是下面专利文献1中公开的固态图像传感器。引用列表专利文献专利文献1：JP2017-073436A
技术实现思路
技术问题不幸的是，在上述专利文献1中公开的贯通电极中，很难保持贯通电极的低电阻值。鉴于这种情况，本专利技术提出一种新的改进的具有保持低电阻值的贯通电极的固态图像传感器、固态成像器件和制造固态图像传感器的方法。问题解决方案根据本专利技术，提供了一种固态图像传感器，其包括：半导体基板；设置在所述半导体基板中的电荷累积器，其用于累积电荷；设置在所述半导体基板上方的光电转换器，其用于将光转换成电荷；及贯通电极，其穿过所述半导体基板，...
【技术保护点】
1.一种固态图像传感器，包括：/n半导体基板；/n设置在所述半导体基板中的电荷累积器，其用于累积电荷；/n设置在所述半导体基板上方的光电转换器，其用于将光转换成电荷；及/n贯通电极，其穿过所述半导体基板，并将所述电荷累积器与所述光电转换器电连接，/n其中，在所述贯通电极的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极的中心处的导体在与所述贯通电极的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180726 JP 2018-1401511.一种固态图像传感器，包括：
半导体基板；
设置在所述半导体基板中的电荷累积器，其用于累积电荷；
设置在所述半导体基板上方的光电转换器，其用于将光转换成电荷；及
贯通电极，其穿过所述半导体基板，并将所述电荷累积器与所述光电转换器电连接，
其中，在所述贯通电极的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极的中心处的导体在与所述贯通电极的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中，所述贯通电极将所述光电转换器与设置在所述半导体基板中的至少一个以上的像素晶体管电连接。
3.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述贯通电极的所述导体的外围。
4.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中，所述导体的在所述光电转换器这一侧的所述端部处的外周表面的坡度相对于所述导体的沿着所述贯通方向延伸的中心轴具有1°以上、60°以下的角度。
5.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中，所述导体具有基本上圆柱形形状。
6.根据权利要求5所述的固态图像传感器，其中，所述导体在所述光电转换器这一侧在所述切割截面中的直径是所述导体在所述电荷收集器这一侧在所述切割截面中的直径的1.2倍以上。
7.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中，
在所述贯通电极的沿着所述贯通方向切割的横截面中，
所述导体的在所述光电转换器这一侧的所述端部具有从所述导体的中心轴分离的两个第一分支部。
8.根据权利要求7所述的固态图像传感器，其中，所述导体的在所述光电转换器这一侧的所述端部还具有位于所述两个第一分支部之间的凹部。
9.根据权利要求7所述的固态图像传感器，其中，每个所述第一分支部弯曲以从所述中心轴绘制出弧线。
10.根据权利要求9所述的固态图像传感器，其中，每个所述第一分支部以10nm以上、100nm以下的曲率半径弯曲。
11.根据权利要求7所述的固态图像传感器，其中，在所述贯通电极的沿着所述贯通方向切割的横截面中，所述导体的在所述电荷收集器这一侧的端部具有从所述中心轴分离的两个第二分支部。
12.根据权利要求11所述的固态图像传感器，其中，每个所述第一分支部和每个...
【专利技术属性】
技术研发人员：福冈慎平，竹尾萌枝，西田翔，富樫秀晃，重歳卓志，山元纯平，
申请(专利权)人：索尼公司，索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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