一种磁吸式MicroLED巨量转移结构及方法技术

本申请实施例提供一种磁吸式MicroLED巨量转移结构，包括：基底，基底的一面上制备有LED芯片阵列，LED芯片阵列的每个电极上设置有第一导电粘接剂层和第一软磁材料层；以及目标电路基板，目标电路基板的一面上设置有第二导电粘接剂层阵列和第二软磁材料层阵列；第一导电粘接剂层与第二导电粘接剂层一一对应，第一软磁材料层与第二软磁材料层一一对应，LED芯片阵列和目标电路基板可通过第一导电粘接剂层和第二导电粘接剂层利用热压工艺进行绑定连接；第一软磁材料层和第二软磁材料层的居里温度低于热压工艺的加热温度。本申请实施例MicroLED巨量转移的定位精确，工艺简单易行，能够完成巨量转移释放需求。

【技术实现步骤摘要】
一种磁吸式MicroLED巨量转移结构及方法
本申请涉及半导体
，特别涉及一种磁吸式MicroLED巨量转移结构及方法。
技术介绍
Micro-LED(微型发光二极管)发展成未来显示技术的热点之一，和目前的LCD(液晶显示器)、OLED(有机发光半导体显示器)件相比，具有反应快、高色域、高像素数目、低能耗等优势；但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术巨量转移技术。巨量转移要求是把微米级别的、几十万甚至上百万的LED(发光二极管)晶圆芯片精确地从施主晶圆上分裂出来有序地转移至目标基板上。目前的转移方式主要有范德华力、静电吸附、激光烧蚀、流体装配等方式，但存在工艺复杂、定位不精确的问题。
技术实现思路
本申请实施例提供一种磁吸式MicroLED巨量转移结构及方法，用于解决现有技术中存在的MicroLED巨量转移工艺复杂、定位不精确的问题。本申请实施例提供一种磁吸式MicroLED巨量转移结构，包括：基底，所述基底的一面上制备有LED芯片阵列，所述LED芯片阵列的每个电极上设置有第一导电粘接剂层和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁吸式MicroLED巨量转移结构，其特征在于，包括：/n基底，所述基底的一面上制备有LED芯片阵列，所述LED芯片阵列的每个电极上设置有第一导电粘接剂层和第一软磁材料层；以及/n目标电路基板，所述目标电路基板的一面上设置有第二导电粘接剂层阵列和第二软磁材料层阵列；/n所述第一导电粘接剂层与第二导电粘接剂层一一对应，所述第一软磁材料层与第二软磁材料层一一对应，所述LED芯片阵列和所述目标电路基板可通过所述第一导电粘接剂层和第二导电粘接剂层利用热压工艺进行绑定连接；/n所述第一软磁材料层和第二软磁材料层的居里温度低于所述热压工艺的加热温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁吸式MicroLED巨量转移结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底的一面上制备有LED芯片阵列，所述LED芯片阵列的每个电极上设置有第一导电粘接剂层和第一软磁材料层；以及
目标电路基板，所述目标电路基板的一面上设置有第二导电粘接剂层阵列和第二软磁材料层阵列；
所述第一导电粘接剂层与第二导电粘接剂层一一对应，所述第一软磁材料层与第二软磁材料层一一对应，所述LED芯片阵列和所述目标电路基板可通过所述第一导电粘接剂层和第二导电粘接剂层利用热压工艺进行绑定连接；
所述第一软磁材料层和第二软磁材料层的居里温度低于所述热压工艺的加热温度。


2.根据权利要求1的磁吸式MicroLED巨量转移结构，其特征在于，所述目标电路基板的一面上设置有焊盘阵列，所述第二导电粘接剂层阵列和第二软磁材料层阵列分别设置在所述焊盘阵列上。


3.根据权利要求2的磁吸式MicroLED巨量转移结构，其特征在于，所述第一软磁材料层叠置在所述电极上，所述第一导电粘接剂层叠置在所述电极上并包裹所述第一软磁材料层；
所述第二软磁材料层叠置在所述焊盘上，所述第二导电粘接剂层叠置在所述焊盘上并包裹所述第二软磁材料层。


4.根据权利要求3的磁吸式MicroLED巨量转移结构，其特征在于，所述第一导电粘接剂层和第二导电粘接剂层的材质均为锡。


5.根据权利要求4的磁吸式MicroLED巨量转移结构，其特征在于，所述第一软磁材料层和第二软磁材料层的居里温度均低于锡的熔点。


6.根据权利要求5的磁吸式MicroLED巨量转移结构，其特征在于，所述第一软磁材料层和第二软磁材料层的居里温度均低于230℃。


7.根据权利要求3-6中任一项所述的磁吸式Mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘巍巍，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44