一种氮化镓功率器件的制备方法技术

本申请公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，该方法在对于划片道区域进行刻蚀之前，以湿法刻蚀和第二次刻蚀的工序去除掉位于所述划片道区域上的介质层和氮化镓层，从而降低了在划片过程中由于划片道区域上的介质层内部的应力而导致产生裂纹，进而对半导体器件单元的性能产生不良影响的可能。另外在对所述划片道区域上的介质层和氮化镓层进行刻蚀时，先利用湿法刻蚀去除半导体器件层上层的介质层，湿法刻蚀不会消耗掩膜层厚度，因此刻蚀过程无需两次设置掩膜层，减少了工艺流程。进一步的，在利用湿刻蚀去除上层介质层时，由于湿法刻蚀的工艺特性，形成的所述第一凹槽的侧壁为斜面，有利于进一步释放所述半导体器件层中各个膜层中的应力。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓功率器件的制备方法
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种氮化镓功率器件的制备方法。
技术介绍
半导体器件在制备过程中，通常是在一块大的衬底上同时进行多个半导体器件单元的制备，然后通过在半导体器件单元之间的划片道(scribeline，又可称为切割道)区域进行切割的方式实现半导体器件单元的分离。但在实际的应用过程中发现，一些半导体器件单元在生产过程中，会存在较大的应力，作为衬底的晶圆在划片道切割的过程中会产生裂纹，这个裂纹延伸到半导体器件单元的内部，会导致切割后的半导体器件单元的性能下降，导致产品低良。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种氮化镓功率器件的制备方法，以避免在划片道切割的过程中产生裂纹的问题。为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：一种氮化镓功率器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有半导体器件层，所述半导体器件层包括多个半导体器件单元以及位于相邻所述半导体器件单元之间的划片道区域；形成位于所述半导体器件层上的掩膜层，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓功率器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有半导体器件层，所述半导体器件层包括多个半导体器件单元以及位于相邻所述半导体器件单元之间的划片道区域；/n形成位于所述半导体器件层上的掩膜层，所述掩膜层暴露出所述划片道区域；/n以所述掩膜层为掩膜，对所述划片道区域进行湿法刻蚀，以去除位于所述划片道区域中的介质层，形成第一凹槽；/n以所述掩膜层为掩膜，对所述划片道区域进行第二次刻蚀，以去除位于所述划片道区域中剩余的氮化镓层，形成第二凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓功率器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有半导体器件层，所述半导体器件层包括多个半导体器件单元以及位于相邻所述半导体器件单元之间的划片道区域；
形成位于所述半导体器件层上的掩膜层，所述掩膜层暴露出所述划片道区域；
以所述掩膜层为掩膜，对所述划片道区域进行湿法刻蚀，以去除位于所述划片道区域中的介质层，形成第一凹槽；
以所述掩膜层为掩膜，对所述划片道区域进行第二次刻蚀，以去除位于所述划片道区域中剩余的氮化镓层，形成第二凹槽。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成位于所述半导体器件层上的掩膜层包括：
在所述半导体器件层上旋涂光刻胶；
对位于所述划片道区域上的光刻胶进行曝光和显影，以去除位于所述划片道区域上的光刻胶，暴露出所述划片道区域，剩余的光刻胶作为所述掩膜层。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述掩膜层为掩膜，对所述划片道区域进行湿法刻蚀，以去除位于所述划片道区域中的介质层，形成第一凹槽包括：
以所述掩膜层为掩膜，利用刻蚀液对所述划片道区域进行刻蚀，以去除位于所述划片道区域中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜卫星，张玉龙，孟流畅，张铭宏，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44