【技术实现步骤摘要】
晶片的处理方法和芯片测量装置
本专利技术涉及半导体晶片的处理方法。
技术介绍
以往,已知半导体晶片的背面完工状态、切割条件等会影响单片化的芯片的抗弯强度,在按照晶片的品种选定加工条件时预先测量芯片的抗弯强度及崩边等,在测量值的基础上选定最适的加工条件。在专利文献1中,鉴于晶片的加工会影响芯片的抗弯强度,公开了用于不使抗弯强度降低的加工方法。并且,抗弯强度的测量通过3点弯曲试验来进行,但该3点弯曲试验是按压压头而破坏芯片的试验,因此以往不使用作为产品的晶片而是使用仿制晶片来测量抗弯强度,参照该测量结果而进行作为产品的晶片的加工条件的选定。专利文献1:日本特开2009-094326号公报目前,以车载半导体为中心而开始强调芯片(器件芯片)的跟踪性(可追溯性)的重要性。即,要求预先按照每个芯片赋予ID,从而在组装于产品的芯片产生不良情况时,能够参照对该芯片实施的加工或该芯片的特性。为了实现这样的跟踪性,需要预先记录作为产品的芯片本身的特性、即作为产品的芯片所在的晶片本身的特性,而非记录仿制晶片的抗弯强 ...
【技术保护点】
1.一种晶片的处理方法,该晶片在正面的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内分别形成有器件,其中,/n该晶片的处理方法包含如下的步骤:/n晶片单元形成步骤,将带粘贴在晶片的背面上并且将该带的外周安装于环状框架,形成具有该晶片、该带以及该环状框架的晶片单元;/n分割步骤,在实施该晶片单元形成步骤之前或之后,将该晶片沿着该分割预定线分割而形成多个器件芯片;/n拾取步骤,在实施了该分割步骤和该晶片单元形成步骤之后,从该晶片单元拾取该器件芯片;以及/n测量步骤,对通过该拾取步骤而拾取的该器件芯片进行测量,/n在实施该拾取步骤之前,实施如下的判别步骤:对该器件的特性分别进行检查而判别出 ...
【技术特征摘要】
20190919 JP 2019-1701811.一种晶片的处理方法,该晶片在正面的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内分别形成有器件,其中,
该晶片的处理方法包含如下的步骤:
晶片单元形成步骤,将带粘贴在晶片的背面上并且将该带的外周安装于环状框架,形成具有该晶片、该带以及该环状框架的晶片单元;
分割步骤,在实施该晶片单元形成步骤之前或之后,将该晶片沿着该分割预定线分割而形成多个器件芯片;
拾取步骤,在实施了该分割步骤和该晶片单元形成步骤之后,从该晶片单元拾取该器件芯片;以及
测量步骤,对通过该拾取步骤而拾取的该器件芯片进行测量,
在实施该拾取步骤之前,实施如下的判别步骤:对该器件的特性分别进行检查而判别出良好器件和不良器件,并存储判别结果,
在该测量步骤中,根据该判别结果,在通过该拾取步骤而拾取的...
【专利技术属性】
技术研发人员:森俊,小林真,梅原冲人,田村一成,
申请(专利权)人:株式会社迪思科,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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