一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法技术

本发明专利技术涉及晶圆划片加工领域，具体地说是一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法，包括如下步骤：一、利用水导激光发生装置在晶圆正面沿划片轨迹加工出沟槽；二、在晶圆正面贴保护膜；三、利用金刚石砂轮对晶圆背面进行磨削减薄，直至步骤一中的沟槽露出；四、对晶圆清洗和干燥；五、在晶圆背面粘贴蓝膜，并撕除晶圆正面的保护膜。本发明专利技术先利用水导激光加工技术对晶圆正面进行切槽，再从晶圆背面进行减薄，有效降低了晶圆封装工序中划片工序及减薄工序中的废品率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法
本专利技术涉及晶圆划片加工领域，具体地说是一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法。
技术介绍
随着电子技术的飞速发展，各种电子产品对电子元器件的性能要求越来越高，比如芯片就逐渐呈现出轻薄化、3D堆栈化的趋势，芯片的厚度也从650μm减薄至120μm、75μm甚至50μm，但是当制作芯片的晶圆厚度减薄到100μm以下时，采用传统的高速金刚石砂轮刀片对晶圆进行划片时，由于机械切割过程中的震动以及加工产生的裂纹，都会使晶圆非常容易产生破损，致使芯片的废品率飙升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法，先利用水导激光加工技术对晶圆正面进行切槽，再从晶圆背面进行减薄，有效降低了晶圆封装工序中划片工序及减薄工序中的废品率。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法，其特征在于：包括如下步骤：一、利用水导激光发生装置在晶圆正面沿划片轨迹加工出沟槽；>二、在晶圆正面贴保本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法，其特征在于：包括如下步骤：/n一、利用水导激光发生装置(5)在晶圆(2)正面沿划片轨迹加工出沟槽(8)；/n二、在晶圆(2)正面贴保护膜(6)；/n三、利用金刚石砂轮(7)对晶圆(2)背面进行磨削减薄，并使步骤一中的沟槽(8)露出；/n四、对晶圆(2)清洗和干燥；/n五、在晶圆(2)背面粘贴蓝膜(9)，并撕除晶圆(2)正面的保护膜(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法，其特征在于：包括如下步骤：
一、利用水导激光发生装置(5)在晶圆(2)正面沿划片轨迹加工出沟槽(8)；
二、在晶圆(2)正面贴保护膜(6)；
三、利用金刚石砂轮(7)对晶圆(2)背面进行磨削减薄，并使步骤一中的沟槽(8)露出；
四、对晶圆(2)清洗和干燥；
五、在晶圆(2)背面粘贴蓝膜(9)，并撕除晶圆(2)正面的保护膜(6)。


2.根据权利要求1所述的基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法，其特征在于：步骤一中采用的水导激光发生装置(5)包括壳体、激光聚焦透镜(504)、激光窗口(505)和喷嘴(503)，在所述壳体内设有液压均衡腔(502)，且所述液压均衡腔(502)一侧设有激光窗口(505...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹治赫，赵吉宾，乔红超，陆莹，孙博宇，张旖诺，于永飞，
申请(专利权)人：中国科学院沈阳自动化研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁;21