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本申请公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，该方法在对于划片道区域进行刻蚀之前，以湿法刻蚀和第二次刻蚀的工序去除掉位于所述划片道区域上的介质层和氮化镓层，从而降低了在划片过程中由于划片道区域上的介质层内部的应力而导致产生裂纹，进而对半导体器件...
该专利属于英诺赛科(珠海)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科(珠海)科技有限公司授权不得商用。

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