由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂及其制备方法技术

本发明专利技术属于光刻胶技术领域，公开了一种由10‑羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂及其制备方法。由10‑羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂包括以下结构：

【技术实现步骤摘要】
由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂及其制备方法
本专利技术涉及光刻胶
，特别涉及一种由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂及其制备方法。
技术介绍
光刻材料(特指光刻胶)，又称光致抗蚀剂，是光刻技术中涉及的最关键的功能性化学材料，主要成分是树脂、光致产酸剂(photoacidgenerator，PAG)、以及相应的添加剂和溶剂。随着集成电路(integratedcircuit，IC)特征尺寸的逐渐减小，酸扩散长度对光刻图案的影响会越来越显著，包括遮罩忠实性低落，LWR(线宽粗糙度,LineWidthRoughness)的恶化以及图案矩形性的劣化等。已经发现PAG阴离子的结构通过影响PAG与其它光刻胶组分之间的相互作用,在光刻胶总体性能中扮演了重要角色。这些相互作用影响到光产生酸的扩散特性。因此制备具有可控制的酸扩散性的光致产酸剂(PAG)是非常重要的。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂及其制备方法。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂，其特征在于，光致产酸剂包括以下结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂，其特征在于，光致产酸剂包括以下结构：



其中R1为连接基团，R2为烃基或含氟烃基；
所述阳离子的结构如下：



其中P1、P2和P3相互独立的表示氢或具有1到12个碳原子的任选取代的烷基。


2.根据权利要求1所述的由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂，其特征在于，所述R1为酯基或碳酸酯基。


3.根据权利要求1所述的由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂，其特征在于，所述光致产酸剂包括以下结构：


其中，P1、P2和P3相互独立的表示氢或具有1到12个碳原子的任选取代的烷基。


4.根据权利要求3所述的由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂，其特征在于，所述光致产酸剂具体包括以下结构：





5.一种由10-羟基攀援山橙碱合成的锍鎓盐类光致产酸剂的制备方法，其特征在于，合成路线为：

，
其中，R1为酯基，R2为烃基或含氟烃基，P1、P2和P3相互独立的表示氢或具有1到12个碳原子的任选取代的烷基，M为碱金属；
包括以下步骤：
S1...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅志伟，毕景峰，潘惠英，郭颖，贺宝元，
申请(专利权)人：上海博栋化学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31