等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置。该方法包括：将薄膜沉积过程中的射频信号设置为间断性射频信号，在所述脉冲射频信号的关断期间通入吹扫气体。通过将射频信号设置为间断性射频信号，并且在射频信号的关断期间通入吹扫气体，通过吹扫气体将射频信号打开过程中反应生成的副产物排除，降低了等离子体沉积薄膜中杂质的含量，提高了薄膜的质量及其相关性能。

【技术实现步骤摘要】
等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置。
技术介绍
在传统的等离子体化学气相沉积薄膜工艺中发现沉积后的很多薄膜中都会存在副产物杂质，该杂质副产物的存在会对薄膜的质量和性能产生影响，例如在等离子体的作用下沉积钛薄膜和/或氮化钛薄膜工艺过程中，由于前驱体采用四氯化钛气体，并且在薄膜沉积过程中反应产生的副产物很难及时排除，导致钛薄膜和/或氮化钛薄膜中存在氯残留，而氯本身容易酸化具有一定的腐蚀性，对薄膜的阻值、漏电流等电学性质有很大的影响。随着制程工艺的发展，如何降低等离子体沉积薄膜中杂质的含量成为一个急需解决的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种新的等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置。一种等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法，包括：将薄膜沉积过程中的射频信号设置为间断性射频信号；在所述射频信号的关断期间通入吹扫气体。在其中一个实施例中，所述间断性射频信号中射频信号打开和关断的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法，包括：/n将薄膜沉积过程中的射频信号设置为间断性射频信号；/n在所述射频信号的关断期间通入吹扫气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法，包括：
将薄膜沉积过程中的射频信号设置为间断性射频信号；
在所述射频信号的关断期间通入吹扫气体。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间断性射频信号中射频信号打开和关断的时间比值大于等于0.1且小于等于2，所述间断性射频信号的射频频率大于等于400千赫兹且小于等于500千赫兹，所述间断性射频信号的射频功率大于等于500瓦且小于等于1500瓦。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜至少包括所述钛薄膜、氮化钛薄膜中的一种，所述薄膜沉积过程中工艺气体包括氩气，所述薄膜沉积过程中工艺气体还至少包括四氯化钛、氢气、氨气中的一种。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氩气的流量大于等于1000sccm且小于等于3000sccm，所述四氯化钛气体的流量大于等于5sccm且小于等于20sccm,或所述氢气的流量大于等于1000sccm且小于等于5000sccm，或所述氨气的流量大于等于1000sccm且小于等于2000sccm。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述吹扫气体包括所述薄膜沉积过程中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王中磊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34