温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置。该方法包括：将薄膜沉积过程中的射频信号设置为间断性射频信号，在所述脉冲射频信号的关断期间通入吹扫气体。通过将射频信号设置为间断性射频信号，并且在射频信号的关断期间通入吹扫气体，通过...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。