一种适用于溅射镀膜机的加热方法及加热系统技术方案

本发明专利技术涉及一种适用于溅射镀膜机的加热方法及加热系统，其特征在于：对所述可旋转基板架上的基板进行一一对应的加热，即每个所述基板均具有相独立的且设置在所述可旋转基板架上的加热源，所述加热源对所述基板进行加热，且所述加热源是通过并联的方式进行加热并同时实现其加热温度的控制。本发明专利技术的优点是：1）加热效率高，进而可以提高设备的产能，并可进一步提高基板温度控制的准确性，进而可以进一步提高成膜的均匀性；2）有效的降低成本，提高系统的稳定性；3）提高系统的集成性，并降低成本；4）避免了真空放电现象的发生；5）提高系统的安全性能，安全性好；6）结构简单合理，使用方便，应用范围广，适于推广。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于溅射镀膜机的加热方法及加热系统
本专利技术涉及真空镀膜
，尤其是一种适用于溅射镀膜机的加热方法及加热系统。
技术介绍
真空镀膜是在真空条件下采用物理或化学办法，使物体表面获得沉积薄膜的一种技术，使其表面根据需要具备多种性能，例如抗辐射、抗腐蚀、抗磨损等性能。在某些溅射成膜工艺中，为了获得性能优异的薄膜或膜系，需要将作为待成膜的基片进行加热，以使其在一定温度下进行溅射成膜。在另一些溅射成膜工艺中，加热的另一作用是去除真空中的水汽，提高排气速率；而良好的真空度则给工艺提供了一个稳定的条件，有利于制备出性能优异的膜系。目前，加热系统较为常见所采用的是整体式加热，即对溅射镀膜机的工艺腔体内部进行整体加热，例如在工艺腔体的侧壁上设置加热源来对基板进行加热。然而，这种加热方式存在以下问题：1）加热效率低，基板升温速率较慢，无法有效保证产能。2）基板的实际温度与工艺腔体的环境温度差距大，在工艺腔体已达到目标温度时，基板实际温度往往离目标温度还有较大的距离，导致无法对基板的温度进行精确控制。3）基板在随着基板架旋转时，只有当基板经过工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于溅射镀膜机的加热方法，所述溅射镀膜机包括工艺腔体，在所述工艺腔体内部设置有可承载基板的旋转基板架，所述旋转基板架可在所述工艺腔体内转动，其特征在于：对所述可旋转基板架上的基板进行一一对应的加热，即每个所述基板均具有相独立的且设置在所述可旋转基板架上的加热源，所述加热源对所述基板进行加热，且所述加热源是通过并联的方式进行加热并同时实现其加热温度的控制。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于溅射镀膜机的加热方法，所述溅射镀膜机包括工艺腔体，在所述工艺腔体内部设置有可承载基板的旋转基板架，所述旋转基板架可在所述工艺腔体内转动，其特征在于：对所述可旋转基板架上的基板进行一一对应的加热，即每个所述基板均具有相独立的且设置在所述可旋转基板架上的加热源，所述加热源对所述基板进行加热，且所述加热源是通过并联的方式进行加热并同时实现其加热温度的控制。


2.根据权利要求1所述的一种适用于溅射镀膜机的加热方法，其特征在于：所述加热源对所述基板所进行的加热是指：首先以超过所述基板的目标温度的加热温度对所述基板进行加热；当所述基板的实时温度到达一定值后，降低所述加热源的加热温度并继续对所述基板进行加热直至所述基板达到其目标温度。


3.根据权利要求2所述的一种适用于溅射镀膜机的加热方法，其特征在于：所述加热源的加热温度以下式为依据进行控制：
所述加热源的第一段加热温度为：T2=T1+（300±50）℃，式中，T2为所述加热源的第一段加热温度，T1为所述基板的目标温度；
所述加热源的第二段加热温度为：T4=T1+（150±50）℃，式中，T4为所述加热源的第二段加热温度，T1为所述基板的目标温度；且所述加热源的第二段加热是当所述基板的实时温度T3达到所述基板的目标温度T1的0.6-0.8倍时进行。


4.根据权利要求2所述的一种适用于溅射镀膜机的加热方法，其特征在于：所述基板的实时温度是通过直接测量所述基板的表面温度或间接测量所述基板附近的环境温度获得；当采用所述环境温度的间接测量获取所述基板的实时温度时，通过对所述环境温度进行修正以反映所述基板的实时温度。


5.根据权利要求4所述的一种适用于溅射镀膜机的加热方法，其特征在于：所述环境温度所进行的修正是通过计算或测量所述环境温度与所述基板的实际温度之间的差值，利用该差值对所述环境温度进行修正。...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜钦钦，高文晶，赵磊，吴凯，
申请(专利权)人：光驰科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31