一种平坦化金属叠层的方法及器件技术

本发明专利技术涉及一种平坦化金属叠层的方法，包括在金属底层上沉积电介质层，使用负性光刻胶：在电介质层上形成光刻胶层，通过光刻在光刻胶层上形成图案，并蚀刻掉该部分的电介质，并使光刻胶层的开口角度θ≥90°，沉积金属层，剥离光刻胶层、位于光刻胶层上的金属层，沉积金属覆盖层，使金属覆盖层的上表面为平面。一种器件，其包括由平坦化金属叠层的方法形成的结构。本发明专利技术在不使用CMP、钨塞（化学机械研磨）、铜（双）镶嵌工艺的情况下，大大改善金属层的平坦度，极大的简化了工艺流程，提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种平坦化金属叠层的方法及器件
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种平坦化金属叠层的方法及器件。
技术介绍
在现代CMOS（互补金属氧化物半导体）器件工艺流程中，通常的做法是在各个步骤中使用CMP（化学机械研磨）工艺，以在通孔内与钨塞或铜双镶嵌塞（大马士革镶嵌）一起实现平坦化的金属化堆叠，如图1-1、1-1a、1-1b所示。钨塞形成的常用方法包括：在介质层上形成通孔；沉积金属钨覆盖所有的通孔和介质层；采用CMP（化学机械研磨）工艺将金属钨研磨直至通孔中的金属钨凸伸出介质层的表面。铜双镶嵌塞的常用方法包括：沉积介质层并以干法蚀刻完成铜双镶嵌结构之图型后，沉积一层扩散阻障层，一般为TaN；进行金属沉积，如PVD、CVD，或电镀6；再进行CMP（化学机械研磨）即告完成。相比之下，对于功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）器件，放宽了金属化设计规则。这样，通常不必强制使用昂贵的CMP和/或钨/铜塞工艺，取而代之的是，铝基金属化仍然在设备制造商中流行。例如通过电子束蒸发或溅射来沉积铝，但是其间隙填充（孔填充）能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平坦化金属叠层的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n步骤1：/n在金属底层上沉积电介质层，/n步骤2：/n（1）、使用负性光刻胶：在电介质层上形成光刻胶层，/n（2）、通过光刻在光刻胶层上形成图案，并蚀刻掉该部分的电介质，并使光刻胶层的开口角度θ≥90°，/n步骤3：/n沉积金属层，/n步骤4：/n剥离光刻胶层、位于光刻胶层上的金属层，/n步骤5：/n沉积金属覆盖层，使金属覆盖层的上表面为平面。/n

【技术特征摘要】
1.一种平坦化金属叠层的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：
在金属底层上沉积电介质层，
步骤2：
（1）、使用负性光刻胶：在电介质层上形成光刻胶层，
（2）、通过光刻在光刻胶层上形成图案，并蚀刻掉该部分的电介质，并使光刻胶层的开口角度θ≥90°，
步骤3：
沉积金属层，
步骤4：
剥离光刻胶层、位于光刻胶层上的金属层，
步骤5：
沉积金属覆盖层，使金属覆盖层的上表面为平面。


2.根据权利要求1所述的平坦化金属叠层的方法，其特征在于：在步骤3、步骤5中使用同一金属沉积金属层、金属覆盖层。


3.根据权利要求2所述的平坦化金属叠层的方法，其特征在于：所述的金属采用铝。


4.根据权利要求1所述的平坦化金属叠层的方法，其特征在于：在步骤2中：光刻胶层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亦衡，王强，姚骏，吴敏，秦佳明，朱廷刚，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32