相变存储器的制造方法及相变存储器技术

本公开提供了一种相变存储器的制造方法及相变存储器，所述方法包括：提供衬底；在衬底器件区域的第一介质层中形成有由下至上依次层叠设置的第一互连线、第一位线连接部、第一导电线以及存储单元；在器件区域中还形成有第二互连线和第三互连线；形成贯穿第一介质层且延伸至第二互连线的第一凹槽，并形成贯穿第一介质层且延伸至第三互连线的第二凹槽；第一凹槽的开口尺寸小于第二凹槽的开口尺寸；向第一凹槽和第二凹槽中沉积第一导电材料，以在第一凹槽中形成第一字线连接部，在第二凹槽中形成第二字线连接部，且基于第二凹槽的形貌形成第三凹槽；第一字线连接部的顶部与第一介质层的顶表面平齐。

【技术实现步骤摘要】
相变存储器的制造方法及相变存储器
本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种相变存储器的制造方法及相变存储器。
技术介绍
相变存储器的器件区域用于设置器件结构。器件结构包括存储单元阵列和外围电路，存储单元阵列主要用于储存数据，外围电路主要用于实现相变存储器操作(读取操作、写操作等)的功能控制。在相变存储器的制造过程中，通常会利用对位结构(alignmentmark)进行对位控制，以保证形成的器件结构之间的对准。
技术实现思路
本公开实施例提供一种相变存储器的制造方法及相变存储器，包括：根据本公开实施例的第一方面，提供一种相变存储器的制造方法，包括：提供衬底；其中，在所述衬底器件区域的第一介质层中形成有由下至上依次层叠设置的第一互连线、第一位线连接部、第一导电线以及存储单元；在所述器件区域中，所述衬底上还形成有第二互连线和第三互连线；形成贯穿所述第一介质层且延伸至所述第二互连线的第一凹槽，并形成贯穿所述第一介质层且延伸至所述第三互连线的第二凹槽；其中，所述第一凹槽的开口尺寸小于所述第二凹槽的开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；其中，在所述衬底器件区域的第一介质层中形成有由下至上依次层叠设置的第一互连线、第一位线连接部、第一导电线以及存储单元；在所述器件区域中，所述衬底上还形成有第二互连线和第三互连线；/n形成贯穿所述第一介质层且延伸至所述第二互连线的第一凹槽，并形成贯穿所述第一介质层且延伸至所述第三互连线的第二凹槽；其中，所述第一凹槽的开口尺寸小于所述第二凹槽的开口尺寸；/n向所述第一凹槽和所述第二凹槽中沉积第一导电材料，以在所述第一凹槽中形成第一字线连接部，并在所述第二凹槽中形成第二字线连接部，且基于所述第二凹槽的形貌形成第三凹槽；其中，所述第一字线连...

【技术特征摘要】
1.一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；其中，在所述衬底器件区域的第一介质层中形成有由下至上依次层叠设置的第一互连线、第一位线连接部、第一导电线以及存储单元；在所述器件区域中，所述衬底上还形成有第二互连线和第三互连线；
形成贯穿所述第一介质层且延伸至所述第二互连线的第一凹槽，并形成贯穿所述第一介质层且延伸至所述第三互连线的第二凹槽；其中，所述第一凹槽的开口尺寸小于所述第二凹槽的开口尺寸；
向所述第一凹槽和所述第二凹槽中沉积第一导电材料，以在所述第一凹槽中形成第一字线连接部，并在所述第二凹槽中形成第二字线连接部，且基于所述第二凹槽的形貌形成第三凹槽；其中，所述第一字线连接部的顶部与所述第一介质层的顶表面平齐。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底包括与所述器件区域并列设置的对位区域，所述方法还包括：
向所述第一字线连接部、所述第二字线连接部和所述存储单元表面沉积第二导电材料，形成导电层；其中，基于所述第三凹槽的形貌，沉积在所述第二字线连接部表面的第二导电材料形成第四凹槽；
基于所述第四凹槽，形成贯穿位于所述对位区域中第一介质层的第五凹槽；其中，所述第五凹槽，对准所述对位区域中的第四互连线。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
在所述向所述第一字线连接部、所述第二字线连接部和所述存储单元表面沉积第二导电材料之前，所述方法还包括：
形成覆盖所述第一字线连接部、所述第二字线连接部和所述存储单元的导电的粘接层；
在形成所述粘接层之后，向所述第一字线连接部、所述第二字线连接部和所述存储单元表面沉积所述第二导电材料；
其中，所述粘接层，用于增大所述导电层分别与所述第一字线连接部、所述存储单元、所述第一介质层以及所述第二字线连接部之间的附着力。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一互连线、所述第二互连线、所述第三互连线和所述第四互连线形成于第二介质层表面，所述方法还包括：
形成覆盖所述第一互连线、所述第二互连线、所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，高王荣，徐陈林，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42