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本公开提供了一种相变存储器的制造方法及相变存储器，所述方法包括：提供衬底；在衬底器件区域的第一介质层中形成有由下至上依次层叠设置的第一互连线、第一位线连接部、第一导电线以及存储单元；在器件区域中还形成有第二互连线和第三互连线；形成贯穿第一介...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

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