一种金黑薄膜吸收率计算模拟方法技术

本发明专利技术公开一种金黑薄膜吸收率计算模拟方法，包括：步骤S1、根据预设参数构建金黑模型，所述金黑模型由多个团簇组成，所述团簇之间均匀分布，且所述团簇内部的金黑粒子呈现高斯分布；步骤S2、根据所述团簇入射光的反射率和透过率，计算所述金黑模型的吸收率；步骤S3、调整所述团簇间的排布方式，直至所述吸收率与实验结果的误差达到预期标准。采用本发明专利技术的技术方案，可为金黑薄膜的设计提供理论参考依据。

【技术实现步骤摘要】
一种金黑薄膜吸收率计算模拟方法
本专利技术属于物理光学应用模拟
，尤其涉及一种金黑薄膜吸收率计算模拟方法。
技术介绍
金黑薄膜是一种重要的宽带吸收器，这种薄膜是在低压下制备的多孔团簇结构，可以用简单的一步法制成。因其制作工艺简单，容易大面积制作，应用极为广泛。但是，构建适合的理论模型分析其吸收率变化对其生产制造也极为重要。在这方面，Eden模型[1]是最早提出的有关多孔结构的模型，在此模型中，每个小粒子均匀分布，这种模型过于简单没有考虑薄膜的形态化生长，与很多实际现象不符，不适合金黑薄膜这种由多个团簇组成的薄膜。除此之外，扩散限制凝聚模型[2](DiffusionLimitedAggregation,DLA)是由Witten和Sander于1978年共同提出来的，这种模型考虑了薄膜生长过程中的原子迁移运动。但是，在金黑薄膜生长过程中，金粒子沉积在基底上形成团簇，因此，这种DLA模型也不适合由团簇组成的多孔薄膜。提出一种适合于金黑薄膜的模型计算吸收率尤为重要，可以为金黑薄膜的设计提供理论参考依据。专利技术内容本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金黑薄膜吸收率计算模拟方法，其特征在于，包括：/n步骤S1、根据预设参数构建金黑模型，所述金黑模型由多个团簇组成，所述团簇之间均匀分布，且所述团簇内部的金黑粒子呈现高斯分布；/n步骤S2、根据所述团簇入射光的反射率和透过率，计算所述金黑模型的吸收率；/n步骤S3、调整所述团簇间的排布方式，直至所述吸收率与实验结果的误差达到预期标准。/n

【技术特征摘要】
1.一种金黑薄膜吸收率计算模拟方法，其特征在于，包括：
步骤S1、根据预设参数构建金黑模型，所述金黑模型由多个团簇组成，所述团簇之间均匀分布，且所述团簇内部的金黑粒子呈现高斯分布；
步骤S2、根据所述团簇入射光的反射率和透过率，计算所述金黑模型的吸收率；
步骤S3、调整所述团簇间的排布方式，直至所述吸收率与实验结果的误差达到预期标准。


2.如权利要求1所述的金黑薄膜吸收率计算模拟方法，其特征在于，所述预设参数包括：金黑薄膜的厚度、金黑薄膜的质量密度、团簇直径、以及金黑粒子的直径。


3.如权利要求2所述的金黑薄膜吸收率计算模拟方法，其特征在于，当溅射压强为50Pa时，溅射时间30分钟，得到的团簇直径为190nm，金黑薄膜的厚度为300nm；当溅射压强为65Pa，溅射时间30分钟时，得到的团簇直径为390nm，金黑薄膜的厚度为500nm；当溅射压强为80Pa，溅射时间为30分钟时，得到的团簇直径为560nm，金黑薄膜的厚度为710nm；
在溅射压强50Pa，65Pa和80Pa下的质量密度分别为0.823cm-3、0.679cm-3和0.537gcm-3；
在溅射压强50Pa，65Pa和80Pa下的单个团簇金黑粒子的直径为5nm-20nm；
在溅射压强50Pa，65Pa和80Pa下的单个团簇内金黑粒子个数分别为164、952和2200。


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【专利技术属性】
技术研发人员：杨苏辉，郝燕，李卓，王欣，张金英，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：北京;11