利用铯原子Ramsey跃迁模型评估铯原子钟频移因素偏差的方法技术

技术编号:27976352 阅读:35 留言:0更新日期:2021-04-06 14:10
本发明专利技术涉及一种利用铯原子Ramsey跃迁模型评估铯原子钟频移因素偏差的方法。该方法包括,获取铯原子超精细Ramsey跃迁检测曲线;对跃迁检测曲线进行预处理;根据检测曲线中相邻两个π跃迁线之间的间距计算静磁场强度的值;利用所述静磁场强度的值,绘制理想情况Ramsey跃迁仿真曲线;基于理想情况Ramsey跃迁仿真曲线与所述跃迁检测曲线,确定影响铯原子Ramsey跃迁的多个影响因素的取值范围;在确定的各影响因素取值范围内,改变各影响因素的取值并绘制Ramsey跃迁仿真曲线,以使绘制的Ramsey跃迁仿真曲线逼近所述跃迁检测曲线;确定可表征所述跃迁检测曲线的各影响因素值,即得到铯原子钟频移因素的偏差。利用得到频移因素的偏差,可以对铯原子钟的频率准确度进行精准修正。

【技术实现步骤摘要】
利用铯原子Ramsey跃迁模型评估铯原子钟频移因素偏差的方法
本专利技术属于原子钟
,具体涉及一种利用铯原子Ramsey跃迁模型评估铯原子钟频移因素偏差的方法。
技术介绍
铯原子钟的频率准确度和长期稳定度优异,在导航、通信和精密测量等领域有着广泛应用。铯原子钟是公认的一级时间频率标准,频率准确度是其最重要的指标之一。铯原子钟受到C场不均匀、腔相差、多普勒效应、频率牵引效应以及伺服电路不完善等的影响,其输出频率可能会偏离标准频率。因此需要对这些频移因素与理想情况的偏差进行准确计算,并利用它们对铯原子钟的频率准确度进行精准修正。目前评估铯原子钟频移的主要方法是:利用工艺过程中的测量数据,结合理论公式进行分项独立评估。但在实际情况中,诸多频移因素之间相互影响,使用分项独立评估得到的频移因素偏差并不准确。例如,在确定腔相差频移时,一般通过测量微波腔两臂尺寸对称度进行估算,但在后续装配和焊接过程中,微波腔两臂会进一步发生形变且形变后的尺寸无法测量,导致腔相差频移估算不准确;在确定C场频移时,通常采用非0-0跃迁线的Rabi台和Ram本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用铯原子Ramsey跃迁模型评估铯原子钟频移因素偏差的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤/n获取铯原子超精细Ramsey跃迁检测曲线;/n根据检测曲线中相邻两个π跃迁线之间的间距计算静磁场强度的值;/n利用所述静磁场强度的值,绘制理想情况Ramsey跃迁仿真曲线;/n基于理想情况Ramsey跃迁仿真曲线与所述跃迁检测曲线,确定影响铯原子Ramsey跃迁的多个影响因素的取值范围;/n在确定的各影响因素取值范围内,改变各影响因素的取值并绘制Ramsey跃迁仿真曲线,以使绘制的Ramsey跃迁仿真曲线逼近所述跃迁检测曲线;/n确定可表征所述跃迁检测曲线的各影响因素值,作为该铯原子钟频移因...

【技术特征摘要】
1.一种利用铯原子Ramsey跃迁模型评估铯原子钟频移因素偏差的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤
获取铯原子超精细Ramsey跃迁检测曲线;
根据检测曲线中相邻两个π跃迁线之间的间距计算静磁场强度的值;
利用所述静磁场强度的值,绘制理想情况Ramsey跃迁仿真曲线;
基于理想情况Ramsey跃迁仿真曲线与所述跃迁检测曲线,确定影响铯原子Ramsey跃迁的多个影响因素的取值范围;
在确定的各影响因素取值范围内,改变各影响因素的取值并绘制Ramsey跃迁仿真曲线,以使绘制的Ramsey跃迁仿真曲线逼近所述跃迁检测曲线;
确定可表征所述跃迁检测曲线的各影响因素值,作为该铯原子钟频移因素的偏差。


2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于理想情况Ramsey跃迁仿真曲线与所述跃迁检测曲线确定影响铯原子Ramsey跃迁的多个影响因素的取值范围,包括
根据检测曲线中每个超精细Ramsey跃迁关于中心跃迁频率的不对称,确定腔相差的取值范围;
根据检测曲线中每个超精细Ramsey跃迁的中心频率的偏移,确定平均磁场差值的取值范围;
根据检测曲线中的相邻σ跃迁,确定微波磁场与C场夹角的取值范围。


3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,利用如下公式根据Ramsey跃迁检测曲线中相邻两个π跃迁线之间的间距计算静磁场强度HC的值:






其中,Δv为每两个相邻π跃迁中心峰之间的频率间距,ΔW0是静磁场强度为零时两个基态能级的能量差,μB是玻尔磁子,gJ和gI分别是铯原子中电子和原子核的g因子。


4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,绘制Ramsey跃迁仿真曲线的步骤包括
确定微波扫描频率的频率范围;
确定原子速率范围;
计算每个速率的原子在每个频率点的跃迁几率;
对所有速率的原子在每个频率点的跃迁几率进行加权并归一化处理,绘制Rams...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈海军闫雨菲麻力冯进军
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十二研究所
类型:发明
国别省市:北京;11

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