一种铱金属配合物和使用该化合物的有机光电元件制造技术

本发明专利技术属于有机光电领域，具体涉及一种铱金属配合物及包含其的有机光电元件，特别是有机电致发光二极管，其中铱金属配合物的结构如式(I)所示：

【技术实现步骤摘要】
一种铱金属配合物和使用该化合物的有机光电元件
本专利技术属于有机光电领域，具体涉及一种铱金属配合物及包含其的光电器件，特别是有机电致发光二极管。
技术介绍
OLED器件作为一种新型的显示技术，具有自发光、宽视角、低能耗、效率高、薄、色彩丰富、响应速度快，适用温度范围广、低驱动电压、可制作柔性可弯曲与透明的显示面板以及环境友好等独特优点，可以应用在平板显示器和新一代照明上，也可以作为LCD的背光源。20世纪80年代底专利技术以来，有机电致发光器件已经在产业上有所应用，OLED发光分为荧光发光和磷光发光两种方式，根据理论推测，由电荷的在结合而引起的单重激发态与三重激发态的比例为1:3，所以使用小分子荧光材料是，能用于发光的仅为全部能量的25％，其余的75％的能量因三重激发态的非发光机制而损失掉，故一般认为荧光材料的内部量子效率极限为25％。1998年Baldo和Forrest教授等人发现三线态磷光可以在室温下利用，并将原来内量子效率的上限提升到100％，三重态磷光体常常都是重金属原子，组成的络合物，利用重原子效应，强烈的自旋轨域耦合作用造成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物其结构式如式(I)所示/n

【技术特征摘要】
1.一种铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物其结构式如式(I)所示



其中,A1构成五元环以上选自C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基；X选自NR1、O、S、CR1R2、SiR1R2、O＝P-R1或B-R1；Y选自N或C-R2；R1至R8独立选自氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种；(L^Z)选自式A表示的结构式，



其中R9,R10选自氰基、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基，取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种。所有基团可以被部分氘代或全氘代；R11选自氢、氘、氰基、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种；m取自1或2，m+n＝3；杂芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一个杂原子；所有基团可以被部分氘代或全氘代。


2.根据权利要求1所述的铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物结构式(I)选自下列代表性的结构：



其中X，Y，R1至R11与权利要求1所述相同。


3.根据权利要求1所述的铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物结构式(I)选自下列代表性的结构：



其中X，Y，R1至R11与权利要求1所述相同。


4.根据权利要求1至3任一项所述的铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物式(I)中R1至R11选自以下代表结构式的一种:





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【专利技术属性】
技术研发人员：王子兴，陈清泉，吕伯彦，吴空物，赵晓宇，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，宇瑞上海化学有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33