一类含紫精单元的离子型铱(III)配合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一类含紫精单元的离子型铱(III)配合物，该铱(III)配合物由金属中心铱原子、不同的抗衡阴离子、不同的C^N配体及N^N配体组成，结构式为

【技术实现步骤摘要】
一类含紫精单元的离子型铱(III)配合物及其制备方法和应用
本专利技术属于有机光电功能材料领域，更具体地说，涉及一类含紫精单元的离子型铱(III)配合物及其制备方法和应用。
技术介绍
忆阻器，一种非易失性存储器，它是具有记忆功能的非线性电阻元件，是继电阻、电感、电容之后的第四种无源电路元件，主要是利用某些薄膜材料在电激励的作用下会出现不同电阻状态(高、低阻态)的转变现象来进行数据的存储。由于具有超小的尺寸，极快的擦除/写入速度，超高的擦除/写入寿命，多电阻开关特性以及良好的互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容性，因此被认为是存储器和神经突触电子仿生器件的重要候选者。作为常规无机半导体活性材料的替代品，由于有机和含金属的材料易于结构修饰，良好的可扩展性，高柔性和良好的可加工性，非常适用于构建忆阻器。其中，过渡金属配合物由于其独特的电子性能，如丰富的激发态性能，优异的电亲和性，良好的氧化还原可逆性和对电刺激的高敏感性而受到了广泛的关注，这有助于提高电子存储器件的稳定性并实现多状态存储。因此，设计、合成这类具有电阻特性的金属配合物具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一类含紫精单元的离子型铱(III)配合物，其特征在于，所述铱(III)配合物其化学结构包括金属中心铱原子、不同的抗衡阴离子、不同的C^N配体及N^N配体。/n

【技术特征摘要】
1.一类含紫精单元的离子型铱(III)配合物，其特征在于，所述铱(III)配合物其化学结构包括金属中心铱原子、不同的抗衡阴离子、不同的C^N配体及N^N配体。


2.如权利要求1所述的一类含紫精单元的的离子型铱(III)配合物，其特征在于，其化学结构式为下述结构式中任意一种：



其中，X-为下列中的任意一个：X-＝PF6-,BF4-,I-,Br-,Cl-,TFSI-；
其中，C^N配体的结构选自下列结构中的一个：





3.如权利要求2所述的一类含紫精单元的的离子型铱(III)配合物，其特征在于，其化学结构式为：





4.如权利要求2所述的一类含紫精单元的的离子型铱(III)配合物，其特征在于，其化学结构式为：





5.如权利要求2所述的一类含紫精单元的离子型铱(III)配合物的制备方法，其特征在于，该方法的合成路线如下：



具体步骤是，采用4,4'-联吡啶与1-氯-2,4-二硝基苯发生亲核取代反应制备化合物3；1,10-菲罗啉和2,2'-联吡啶先进行亲核取代反应、再经历水合肼还原、最后和单边吡啶盐中间体3反应并和六氟磷酸盐进行离子交换反应得到化合物5和10；化合物5和10分别和不同的环金属化铱(III)氯桥二聚体通过配位反应后得到离子型铱(III)配合物前驱体6和11；化合物6和11分别和碘甲烷进行亲核取代反应再和六氟磷酸盐进行离子交换反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘淑娟，庄艳玲，赵强，任秀丽，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32