一种APD探测器制造技术

本实用新型专利技术提出了一种APD探测器，其包括光电二极管、反向偏置电压发生电路、放大器和CPU芯片，反向偏置电压发生电路包括DC‑DC变换器、升压电路和反馈调节电路；DC‑DC变换器的输出端通过升压电路与反馈调节电路的输入端电性连接，反馈调节电路的输出端分别与DC‑DC变换器的反馈端和光电二极管的负极电性连接，光电二极管的正极通过放大器与CPU芯片的模拟输入端电性连接。通过在反向偏置电压发生电路中设置升压电路，可以将5V直流电压升压至180V直流电压输出，满足雪崩光电二极管对反偏电压的要求；同时优化升压电路的结构降低其输出的直流高压高频噪声和纹波系数。

【技术实现步骤摘要】
一种APD探测器
本技术涉及光通信领域，尤其涉及一种APD探测器。
技术介绍
随着激光技术的发展，激光广泛应用在各个领域中，例如，光通信、激光切割、人脸识别和激光测距等
中。光通信接收器中常常采用雪崩光敏管(APD)作为PIN二极管，通过激光器发出激光，在接收端通过雪崩光电探测器探测该光信号，并转换为电信号。雪崩光电二极管是一种具有内部增益的光电探测器，它可以用作在微弱光信号条件下获得较大的输出光电流。雪崩光电二极管的工作模式包括零偏压下的光电压模式以及反偏压下的光电导模式，其中，APD具有较高的灵敏度，但需要为给定的光通量需要提供特殊的偏置电路，以产生适当的电子流。现有的偏置电路提供的反向偏置电压无法产生高压，并且也会产生高频噪声，造成偏置电路输出电压纹波系数高。因此，为解决上述问题，本技术提供一种APD探测器，优化反向偏置电压发生电路的结构，使其输出高压的同时可以降低输出电压中的高频噪声和纹波系数。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提出了一种APD探测器，优化反向偏置电压发生电路的结构，使其输出高压的同时可以降低输出电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种APD探测器，其包括光电二极管、反向偏置电压发生电路、放大器和CPU芯片，其特征在于：所述反向偏置电压发生电路包括DC-DC变换器、升压电路和反馈调节电路；/n所述DC-DC变换器的输出端通过升压电路与反馈调节电路的输入端电性连接，反馈调节电路的输出端分别与DC-DC变换器的反馈端和光电二极管的负极电性连接，光电二极管的正极通过放大器与CPU芯片的模拟输入端电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种APD探测器，其包括光电二极管、反向偏置电压发生电路、放大器和CPU芯片，其特征在于：所述反向偏置电压发生电路包括DC-DC变换器、升压电路和反馈调节电路；
所述DC-DC变换器的输出端通过升压电路与反馈调节电路的输入端电性连接，反馈调节电路的输出端分别与DC-DC变换器的反馈端和光电二极管的负极电性连接，光电二极管的正极通过放大器与CPU芯片的模拟输入端电性连接。


2.如权利要求1所述的一种APD探测器，其特征在于：所述DC-DC变换器为MAX5026变换器；
所述MAX5026变换器的LX引脚为其输出端，FB引脚为其反馈端，LX引脚与升压电路电性连接，FB引脚与反馈调节电路的输出端电性连接。


3.如权利要求2所述的一种APD探测器，其特征在于：所述MAX5026变换器的内置开关频率为500KHz。


4.如权利要求2所述的一种APD探测器，其特征在于：所述升压电路采用四倍频升压电路。


5.如权利要求4所述的一种APD探测器，其特征在于：所述升压电路包括：电感L2、电解电容C22-C23、电容C18-C21和肖特基二极管D3-D7；
所述MAX5026变换器的LX引脚通过依次串联并且正向连接的肖特基二极管D3-D7与反馈调节电路的输入端电性连接，电...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡志宏，邹长广，褚明辉，
申请(专利权)人：武汉万赢半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42