一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路制造技术

技术编号:27950295 阅读:17 留言:0更新日期:2021-04-02 14:36
一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路,它包括有软启动单元、稳压单元、光电耦合单元。其中电阻R1、R2,二极管D1,电容C1和PNP型三极管Q1构成软启动单元,在开关电源刚上电时,由于电容C1两端的压降不能突变,PNP型三极管Q1的发射极和集电极之间有电流流过,而且随着电容C1的压降增加,流经PNP型三极管Q1的发射极和集电极之间有电流越来越小,就会使输出电压参考逐渐增大,而输出电压由于环路的调节作用,是跟随输出电压参考的,从而避免开关电源刚接通时输出电压产生过冲现象。

【技术实现步骤摘要】
一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路
本技术涉及开关电源
,尤其涉及一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路。
技术介绍
现有技术中的开关电源的稳压电路,其主要由稳压单元和光电耦合单元组成,稳压单元的作用是在开关电源启动后,通过对输出电压的取样而保持输出电压的稳定,光电耦合单元的作用是把输出电压的误差控制量反馈到开关电源前级的PWM控制芯片,由PWM控制芯片输出驱动波形对开关管进行相应的控制。开关电源在上电过程中由于启动前负载电容上没有电荷,输出电压为0V,电路瞬间开启后,输出电压反馈到误差放大器的比较电压为一个很小的值,此时误差放大器处于非平衡状态,功率管驱动信号PWM输出占空比达到最大值。功率管开启之后,对电容充电产生一个很大的浪涌电流。此时,通过功率管的电流很大,容易损毁电路系统。因此,软启动电路应运而生。其设计思想是通过限制PWM输出的占空比,缓慢提高输出电压,驱动信号PWM占空比从最小值开始逐渐变化,不会使功率管在较长时间一直导通,从而避免了浪涌电流与过冲电压。传统开关电源的软启动通过电阻给电容充电来箝位误差放大器的输入或者输出,进而限制PWM的占空比。这种软启动电路方法比较简单,但需要的电容值较大。并且这种方法在软启动结束之后的切换过程中线性度很差,电感电流与输出电压还会出现过冲现象。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路,通过副边软启动线路设计,很好的解决DC/DC变换器启动过程的浪涌电流问题,同时避免传统的软启动电路在软启动结束时出现的启动过冲现象。本技术的技术方案:一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路,它包括有软启动单元、稳压单元、光电耦合单元,软启动单元第一端、稳压单元第一端、光电耦合单元第第一端和开关电源输出电压正相连;软启动单元第二端、稳压单元第二端和开关电源输出电压负相连;软启动单元的第三端和稳压单元第三端相连;稳压单元第四端和光电耦合单元第二端相连。所述软启动单元包括电阻R1、R2,二极管D1,电容C1和PNP型三极管Q1;二极管D1的阴极、电阻R1第一端、电阻R2的第一端和软启动单元的第一端相连;二极管D1的阳极、电阻R1的第二端、电容C1的第一端和PNP型三极管Q1的基极相连;电阻R2的第二端和PNP型三极管Q1的发射极相连;PNP型三极管Q1的集电极和软启动单元的第三端相连。所述稳压单元包括电阻R3、R4、R7,电容C2、C3,TL431V1;稳压单元第一端和电阻R3的第一端相连;电阻R3的第二端、电阻R4的第一端、电容C2的第一端、电容C3的第一端、TL431V1的第一端和稳压单元第三端相连;电容C2的第二端、TL431V1的第二端、电阻R7的第二端和稳压单元第四端相连;电容C3的第二端和电阻R7的第一端相连;电阻R4的第二端、TL431V1的第三端和稳压单元第二端相连。所述光电耦合单元包括电阻R5、R6,光耦U1和主控芯片;电阻R5的第一端和光电耦合单元第一端相连;电阻R5的第二端、电阻R6的第一端和光耦U1的第一端相连;电阻R6的第二端、光耦的第二端和光电耦合单元第二端相连;光耦U1第四端和主控芯片控制端相连;光耦U1第三端和GND相连。本技术有益效果在于:很好的解决开关电源启动过程的浪涌电流问题,同时避免传统的软启动电路在软启动结束时出现的启动过冲现象。附图说明图1本技术的电路原理图。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步的说明,如图1所示,本技术提供的一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路,它包括有软启动单元、稳压单元、光电耦合单元,软启动单元第一端、稳压单元第一端、光电耦合单元第第一端和开关电源输出电压正相连;软启动单元第二端、稳压单元第二端和开关电源输出电压负相连;软启动单元的第三端和稳压单元第三端相连;稳压单元第四端和光电耦合单元第二端相连。所述软启动单元包括电阻R1、R2,二极管D1,电容C1和PNP型三极管Q1;二极管D1的阴极、电阻R1第一端、电阻R2的第一端和软启动单元的第一端相连;二极管D1的阳极、电阻R1的第二端、电容C1的第一端和PNP型三极管Q1的基极相连;电阻R2的第二端和PNP型三极管Q1的发射极相连;PNP型三极管Q1的集电极和软启动单元的第三端相连。所述稳压单元包括电阻R3、R4、R7,电容C2、C3,TL431V1;稳压单元第一端和电阻R3的第一端相连;电阻R3的第二端、电阻R4的第一端、电容C2的第一端、电容C3的第一端、TL431V1的第一端和稳压单元第三端相连;电容C2的第二端、TL431V1的第二端、电阻R7的第二端和稳压单元第四端相连;电容C3的第二端和电阻R7的第一端相连;电阻R4的第二端、TL431V1的第三端和稳压单元第二端相连。所述光电耦合单元包括电阻R5、R6,光耦U1和主控芯片;电阻R5的第一端和光电耦合单元第一端相连;电阻R5的第二端、电阻R6的第一端和光耦U1的第一端相连;电阻R6的第二端、光耦的第二端和光电耦合单元第二端相连;光耦U1第四端和主控芯片控制端相连;光耦U1第三端和GND相连。本技术的工作原理如下:电阻R1、R2,二极管D1,电容C1和PNP型三极管Q1构成软启动单元,在开关电源刚上电时,由于电容C1两端的压降不能突变,PNP型三极管Q1的发射极和集电极之间有电流流过,而且随着电容C1的压降增加,流经PNP型三极管Q1的发射极和集电极之间有电流越来越小,就会使输出电压参考逐渐增大,而输出电压由于环路的调节作用,是跟随输出电压参考的,从而避免开关电源刚接通时输出电压产生过冲现象。最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本技术的技术方案,而非对本技术保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本技术作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本技术技术方案的实质和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路,其特征在于,它包括有软启动单元、稳压单元、光电耦合单元,软启动单元第一端、稳压单元第一端、光电耦合单元第第一端和开关电源输出电压正相连;软启动单元第二端、稳压单元第二端和开关电源输出电压负相连;软启动单元的第三端和稳压单元第三端相连;稳压单元第四端和光电耦合单元第二端相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路,其特征在于,它包括有软启动单元、稳压单元、光电耦合单元,软启动单元第一端、稳压单元第一端、光电耦合单元第第一端和开关电源输出电压正相连;软启动单元第二端、稳压单元第二端和开关电源输出电压负相连;软启动单元的第三端和稳压单元第三端相连;稳压单元第四端和光电耦合单元第二端相连。


2.根据权利要求1所述的一种基于TL431闭环控制的副边软启动电路,其特征在于,所述软启动单元包括电阻R1、R2,二极管D1,电容C1和PNP型三极管Q1;二极管D1的阴极、电阻R1第一端、电阻R2的第一端和软启动单元的第一端相连;二极管D1的阳极、电阻R1的第二端、电容C1的第一端和PNP型三极管Q1的基极相连;电阻R2的第二端和PNP型三极管Q1的发射极相连;PNP型三极管Q1的集电极和软启动单元的第三端相连。


3.根据权利要求1所述的一种基于TL4...

【专利技术属性】
技术研发人员:高龙尚峰陈龙王雪飞
申请(专利权)人:合肥容杰电子技术有限责任公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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