本实用新型专利技术公开了一种IC芯片吸嘴,包括连接件、底板、吸嘴本体和唇形吸附嘴,所述底板设于连接件上,所述吸嘴本体设于底板上,所述唇形吸附嘴设于吸嘴本体上,所述连接件中设有真空通道,所述底板中设有导流通道,所述吸嘴本体中设有均流腔,所述导流通道两端分别与真空通道和均流腔连通,所述唇形吸附嘴与均流腔连通,所述唇形吸附嘴形成半隔离腔体。本实用新型专利技术涉及IC芯片加工技术领域,具体是提供了一种截面采用特殊的三角形内空结构的唇形吸附嘴,在吸附时只与IC芯片表面接触很小的面积的IC芯片吸嘴。
【技术实现步骤摘要】
一种IC芯片吸嘴
本技术涉及IC芯片加工
,具体是指一种IC芯片吸嘴。
技术介绍
芯片吸嘴用来吸附芯片,配合相关的运动,实现芯片的移动。传统的芯片吸嘴,吸附芯片时,会与芯片的大面积表面接触,此种接触方式,主要问题有1)容易损伤芯片表面;2)会对芯片表面造成污染。
技术实现思路
针对上述情况,为克服现有技术的缺陷,本技术提供一种截面采用特殊的三角形内空结构的唇形吸附嘴,在吸附时只与IC芯片表面接触很小的面积的IC芯片吸嘴。本技术采取的技术方案如下:本技术一种IC芯片吸嘴,包括连接件、底板、吸嘴本体和唇形吸附嘴,所述底板设于连接件上,所述吸嘴本体设于底板上,所述唇形吸附嘴设于吸嘴本体上,所述连接件中设有真空通道,所述底板中设有导流通道,所述吸嘴本体中设有均流腔,所述导流通道两端分别与真空通道和均流腔连通,所述唇形吸附嘴与均流腔连通,所述唇形吸附嘴形成半隔离腔体。进一步地,所述连接件与外接真空发生器连接,在真空发生器工作时,通过抽离空气在唇形吸附嘴形成半隔离腔体中形成负压吸附力,可将IC芯片吸附在唇形吸附嘴上,相较于传统吸嘴,唇形吸附嘴与IC芯片表面接触面积更小,对IC芯片表面损伤与污染极低。进一步地,所述吸嘴本体截面呈三角形结构设置,所述唇形吸附嘴设于吸嘴本体的顶角处。采用上述结构本技术取得的有益效果如下:本方案利用唇形吸附嘴的特殊结构形成半隔离腔体,在真空作用下形成负压吸附力,可将IC芯片吸附在唇形吸附嘴上,相较于传统吸嘴,唇形吸附嘴与IC芯片表面接触面积更小,对IC芯片表面损伤与污染极低。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术的实施例一起用于解释本技术,并不构成对本技术的限制。在附图中:图1为本技术一种IC芯片吸嘴的整体结构示意图;图2为本技术一种IC芯片吸嘴的主视图;图3为本技术一种IC芯片吸嘴的侧视图;图4为本技术一种IC芯片吸嘴的使用状态图。其中,1、连接件,2、底板,3、吸嘴本体,4、唇形吸附嘴,5、真空通道,6、导流通道,7、均流腔,8、半隔离腔体。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例;基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。如图1-4所示,本技术一种IC芯片吸嘴,包括连接件1、底板2、吸嘴本体3和唇形吸附嘴4,所述底板2设于连接件1上,所述吸嘴本体3设于底板2上,所述唇形吸附嘴4设于吸嘴本体3上,所述连接件1中设有真空通道5,所述底板2中设有导流通道6,所述吸嘴本体3中设有均流腔7,所述导流通道6两端分别与真空通道5和均流腔7连通,所述唇形吸附嘴4与均流腔7连通,所述唇形吸附嘴4形成半隔离腔体8。所述连接件1与外接真空发生器连接,在真空发生器工作时。所述吸嘴本体3截面呈三角形结构设置,所述唇形吸附嘴4设于吸嘴本体3的顶角处。具体使用时,在真空发生器工作时,通过抽离空气在唇形吸附嘴4形成半隔离腔体8中形成负压吸附力,可将IC芯片吸附在唇形吸附嘴4上。需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点,对于本领域技术人员而言,显然本技术不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本技术。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种IC芯片吸嘴,其特征在于:包括连接件、底板、吸嘴本体和唇形吸附嘴,所述底板设于连接件上,所述吸嘴本体设于底板上,所述唇形吸附嘴设于吸嘴本体上,所述连接件中设有真空通道,所述底板中设有导流通道,所述吸嘴本体中设有均流腔,所述导流通道两端分别与真空通道和均流腔连通,所述唇形吸附嘴与均流腔连通,所述唇形吸附嘴形成半隔离腔体。/n
【技术特征摘要】
1.一种IC芯片吸嘴,其特征在于:包括连接件、底板、吸嘴本体和唇形吸附嘴,所述底板设于连接件上,所述吸嘴本体设于底板上,所述唇形吸附嘴设于吸嘴本体上,所述连接件中设有真空通道,所述底板中设有导流通道,所述吸嘴本体中设有均流腔,所述导流通道两端分别与真空通道和均流腔连通,所述唇形吸附嘴与均流腔...
【专利技术属性】
技术研发人员:何为华,
申请(专利权)人:华芯智创科技深圳有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。