确定图案化的高深宽比结构阵列中的倾斜角度制造技术

本发明专利技术提供了用于表征制造的或部分制造的半导体设备的结构(包括高深宽比(HAR)结构)的方法和装置。该方法包括使用小角度X射线散射(SAXS)来确定HAR结构阵列的平均参数。在一些实现方案中，SAXS用于分析样品中HAR结构的对称性，并且可以称为倾斜结构对称性分析–SAXS(TSSA‑SAXS)或TSSA。可以执行参数分析，例如对HAR结构中的倾斜度、侧壁角、翘曲以及存在的多个倾斜度的分析。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】确定图案化的高深宽比结构阵列中的倾斜角度通过引用并入PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。高深宽比(HAR)结构越来越多地并入逻辑和存储器设备中，例如三维(3-D)NAND结构和其他3-D结构。在这样的设备的制造期间，执行各种工艺，其包括材料的沉积和蚀刻、用于定义图案的光刻、化学机械平面化等。计量技术可以用于在制造的各个阶段表征HAR结构的参数。但是，这些技术很耗时并且具有其他缺点。为了确定HAR结构的倾斜度，例如，可以进行截面扫描电子显微镜(SEM)成像。然而，这种成像涉及麻烦、破坏性和耗时的样品制备。
技术实现思路
本文提供了用于表征制造的或部分制造的半导体设备的结构(包括高深宽比(HAR本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n用x射线辐射照射包括结构阵列的样品，使得所述样品散射所述x射线辐射；/n使所述样品旋转通过围绕第一测量轴的一系列角位置；/n在每个角位置，检测所散射的所述辐射的强度的图案；以及/n基于所述强度的图案的对称性确定所述结构在第一平面中的平均倾斜度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180731 US 62/712,8661.一种方法，其包括：
用x射线辐射照射包括结构阵列的样品，使得所述样品散射所述x射线辐射；
使所述样品旋转通过围绕第一测量轴的一系列角位置；
在每个角位置，检测所散射的所述辐射的强度的图案；以及
基于所述强度的图案的对称性确定所述结构在第一平面中的平均倾斜度。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，在没有参考模型的情况下确定所述平均倾斜度。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述平均倾斜度的大小和方向。


4.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
使所述样品旋转通过围绕第二测量轴的一系列角位置；在每个角位置，检测所散射的所述辐射的强度的图案；
基于所述强度的图案的对称性，确定所述结构的所述图案在第二平面中的平均倾斜度。


5.根据权利要求4所述的方法，其还包括根据所述第一平面中的所述平均倾斜度和所述第二平面中的所述平均倾斜度来确定平均总体倾斜度。


6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一轴和第二轴是正交的。


7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一轴和第二轴不是正交的。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其还包括在使所述样品旋转通过所述一系列角位置之前，使所述样品围绕与所述第一测量轴正交的轴旋转角度χ。


9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，基于所述强度的图案的对称性确定所述结构的图案在第一平面中的平均倾斜度包括：将所述强度的图案的右侧的峰强度与所述强度的图案的左侧的峰强度进行比较。


10.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法，其中，基于所述强度的图案的对称性确定所述HAR结构的图案在第一平面中的平均倾斜度包括：绘制GO...

【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·迪恩·汤普森，瑞吉斯·约瑟夫·克兰，丹尼尔·F·森戴，吴文丽，奥斯曼·索卡比，张晋，陈晓书，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，以商务部国家标准与技术研究院院长为代表的美利坚合众国政府，
类型：发明
国别省市：美国;US