监测非晶碳膜放电缺陷的方法和结构技术

本发明专利技术涉及监测非晶碳膜放电缺陷的方法，包括S1：提供测试硅片；S2：在测试硅片表面上生长一层介质层；S3：在介质层上面生长非晶碳膜；以及S4：扫描硅片的边缘对放电缺陷进行监控。通过在生长非晶碳膜之前先在测试硅片表面形成一层介质层，这就相当于在非晶碳膜与硅片之间增加了一层电介质，其等效一个平板电容器，可以重现放电缺陷，快速监控非晶碳膜的缺陷状况；同时可离线监测缺陷，以确保机台的过货稳定性，低成本快速度。

【技术实现步骤摘要】
监测非晶碳膜放电缺陷的方法和结构
本专利技术涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种监测非晶碳膜放电缺陷的方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造中，随着线宽尺寸越做越小，光刻不能仅仅通过光刻胶充当掩膜版，此时引进了非晶碳膜(APF)充当掩膜版，那么非晶碳膜的膜质就凸显的尤为重要，需要保证膜质的稳定以及零缺陷。非晶碳膜的沉积属于CVD工艺，其沉积原理为：由气体C2H2在Plasma作用下裂解生成非晶碳膜，覆盖整片硅片形成碳膜。硅片是具有一定厚度圆片，其边缘经倒角形成连续圆滑的侧边。CVD工艺中的气相反应物会流动并渗入硅片侧边，在那里发生沉积反应，生成非晶碳膜，而且在硅片边缘沉积的非晶碳膜厚度不均匀且不受控。因此，一般CVD工艺管控的沉积膜的范围在从硅片圆心到距离硅片边缘3毫米的圆形区域。沉积在硅片边缘3毫米的环形区域以及侧边的非晶碳膜可能在后续的光刻和刻蚀工艺中发生剥离，落入到电路中成为颗粒缺陷，从而影响器件性能。为防止非晶碳膜在硅片边缘沉积，非晶碳膜沉积设备的腔体中另有称为shadowring的部件。硅片load-in后，shadowr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种监测非晶碳膜放电缺陷的方法，其特征在于，包括：/nS1：提供测试硅片；/nS2：在测试硅片表面上生长一层介质层；/nS3：在介质层上面生长非晶碳膜；/nS4：扫描硅片的边缘对放电缺陷进行监控。/n

【技术特征摘要】
1.一种监测非晶碳膜放电缺陷的方法，其特征在于，包括：
S1：提供测试硅片；
S2：在测试硅片表面上生长一层介质层；
S3：在介质层上面生长非晶碳膜；
S4：扫描硅片的边缘对放电缺陷进行监控。


2.根据权利要求1所述的监测非晶碳膜放电缺陷的方法，其特征在于，所述介质层为绝缘介质层。


3.根据权利要求1或2任一项所述的监测非晶碳膜放电缺陷的方法，其特征在于，所述介质层的厚度为800埃米-2000埃米。


4.根据权利要求1所述的监测非晶碳膜放电缺陷的方法，其特征在于，采用CVD工艺生长所述非晶碳膜。


5.根据权利要求1所述的监测非晶碳膜放电缺陷的方法，其特征在于，由气体C2H2在Plasm...

【专利技术属性】
技术研发人员：王莎莎，张富伟，袁智琦，陈东华，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31