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本发明涉及监测非晶碳膜放电缺陷的方法，包括S1：提供测试硅片；S2：在测试硅片表面上生长一层介质层；S3：在介质层上面生长非晶碳膜；以及S4：扫描硅片的边缘对放电缺陷进行监控。通过在生长非晶碳膜之前先在测试硅片表面形成一层介质层，这就相当于...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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