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本发明提供了用于表征制造的或部分制造的半导体设备的结构(包括高深宽比(HAR)结构)的方法和装置。该方法包括使用小角度X射线散射(SAXS)来确定HAR结构阵列的平均参数。在一些实现方案中，SAXS用于分析样品中HAR结构的对称性，并且可以...该专利属于朗姆研究公司;以商务部国家标准与技术研究院院长为代表的美利坚合众国政府所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司;以商务部国家标准与技术研究院院长为代表的美利坚合众国政府授权不得商用。