半导体装置以及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置以及制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包含基板介电结构和基板传导结构，基板传导结构穿越基板介电结构并且包含第一基板端子和第二基板端子；电子构件，具有耦接到第一基板端子的构件端子；以及第一天线组件，具有耦接到第二基板端子的第一组件端子、相邻于第一天线图案的第一组件头侧、相对于第一组件侧的第一组件基底侧以及第一组件侧壁。第一组件端子可以在第一组件基底侧处或在第一组件侧壁处从第一组件介电结构暴露。第一天线图案可以经由第一组件端子而耦接到基板。基板传导结构可耦接第一天线组件到电子构件。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及制造半导体装置的方法
本揭示内容总体而言涉及电子构件，更具体地，涉及半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。
技术介绍
现有半导体封装件和用于形成半导体封装件的方法是不足的，其例如是导致过多的成本、降低的可靠度、相对低的效能或是太大的封装尺寸。通过习知及传统的方式与本揭示内容及图式的比较，习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于该领域中习知此技术人士而言将会变得明显。
技术实现思路
本专利技术的一态样为一种半导体装置，所述半导体装置包括：基板，包括：基板顶部侧；基板底部侧；基板介电结构，所述基板介电结构在所述基板顶部侧和所述基板底部侧之间；以及基板传导结构，所述基板传导结构穿越所述基板介电结构并且包括：第一基板端子；以及第二基板端子，所述第二基板端子在所述基板顶部侧处；电子构件，所述电子构件耦接到所述基板并且包括：耦接到所述第一基板端子的构件端子；以及第一天线组件，所述第一天线组件耦接到所述基板并且包括：第一组件介电结构；第一天线图案，所述第一天线图案耦接到所述第一组件介电结构；第一组件端子，所述第一组件端子耦接到所述第二基板端子；第一组件头侧，所述第一组件头侧相邻于所述第一天线图案；第一组件基底侧，所述第一组件基底侧相对于所述第一组件侧；以及第一组件侧壁，所述第一组件侧壁在所述第一组件头侧和所述第一组件基底侧之间；其中：所述第一组件端子在所述第一组件基底侧或所述第一组件侧壁中的至少一处从所述第一组件介电结构暴露；所述第一天线图案经由所述第一组件端子而被耦接到所述基板；所述第一天线组件耦接到在所述电子构件的覆盖区之外的所述基板；并且所述基板传导结构耦接所述第一天线组件到所述电子构件。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述第一天线组件包括：第一天线路径，所述第一天线路径穿越所述第一组件介电结构并且耦接到所述第一天线图案和所述第一组件端子。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述第一天线图案被定向成沿着实质上正交于所述第一天线头侧的方向通讯。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述第一天线组件包括：面向垂直方向的所述第一组件头侧，及被定向成沿着所述垂直方向通讯的所述第一天线图案；以及耦接到所述基板的所述第一组件基底侧。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述第一天线组件包括：面向第一水平方向的所述第一组件头侧，及被定向成沿着所述第一水平方向通讯的所述第一天线图案；以及耦接到所述基板的所述第一组件侧壁。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述半导体装置包括：耦接到所述基板的第二天线组件；其中：围绕所述电子构件的覆盖区的所述基板包括：基板向左部分、基板向右部分、基板向上部分以及基板向下部分；所述第一天线组件在所述基板向左部分处被耦接到所述基板顶部侧；并且所述第二天线组件在所述基板向右部分处被耦接到所述基板顶部侧。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述半导体装置包括：在所述基板顶部侧上的囊封物；其中：所述第二天线组件包括相邻于第二组件头侧的第二天线图案；所述第二天线组件包括第二组件侧壁；所述囊封物覆盖所述第一组件侧壁以及所述第二组件侧壁；并且所述囊封物暴露所述第一组件头侧以及所述第二组件头侧。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述电子构件包括：构件第一侧，所述构件第一侧耦接到所述基板顶部侧；构件第二侧，所述构件第二侧相对于所述构件第一侧；构件侧壁，所述构件侧壁在所述构件第一侧和所述构件第二侧之间；以及屏蔽结构，所述屏蔽结构覆盖所述构件第二侧和所述构件侧壁；并且所述囊封物覆盖相邻于所述构件侧壁的所述屏蔽结构。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述第一天线组件包括：面向垂直方向的所述第一组件头侧，及被定向成沿着所述垂直方向通讯的所述第一天线图案；以及耦接到所述基板的所述第一组件基底侧；并且所述第二天线组件包括：面向所述垂直方向的第二组件头侧，及被定向成沿着所述垂直方向通讯的第二天线图案；以及耦接到所述基板的第二组件基底侧。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述第一天线图案被定向成沿着所述垂直方向朝顶部通讯；所述第二天线图案被定向成沿着所述垂直方向朝底部通讯。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述第一天线组件包括：面向朝右方向的所述第一组件头侧，及被定向成沿着所述朝右方向通讯的所述第一天线图案；以及耦接到所述基板的所述第一组件侧壁；并且所述第二天线组件包括：面向与所述朝右方向相反的朝左方向的第二组件头侧，及被定向成沿着所述朝左方向通讯的第二天线图案；以及耦接到所述基板的第二组件侧壁。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述第一天线组件包括：面向垂直方向的所述第一组件头侧，及被定向成沿着所述垂直方向通讯的所述第一天线图案；以及耦接到所述基板的所述第一组件基底侧；并且所述第二天线组件包括：面向朝右方向的第二组件头侧，及被定向成沿着所述朝右方向通讯的第二天线图案；以及耦接到所述基板的第二组件侧壁。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述半导体装置包括：第三天线组件，所述第三天线组件在所述基板向上部分处耦接到所述基板并且包括：面向朝上方向的第三组件头侧，及被定向成沿着所述向上方向通讯的第三天线图案；以及耦接到所述基板的第三组件侧壁。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述半导体装置包括：第四天线组件，所述第四天线组件在所述基板向下部分处耦接到所述基板并且包括：面向朝下方向的第四组件头侧，及被定向成沿着所述朝下方向通讯的第四天线图案；以及耦接到所述基板的第四组件侧壁。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述半导体装置包括：第五天线组件，所述第五天线组件在所述基板向左部分处耦接到所述基板并且包括：面向朝左方向的第五组件头侧，及被定向成沿着所述朝左方向通讯的第五天线图案；以及耦接到所述基板的第五组件侧壁。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述半导体装置包括：第六天线组件，所述第六天线组件在所述基板向右部分处耦接到所述基板并且包括：第六组件头侧，及被定向成沿着所述垂直方向通讯的第六天线图案；以及耦接到所述基板的第六组件侧壁。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述电子构件耦接到所述基板底部侧。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述半导体装置包括：被动构件，所述被动构件耦接到所述基板且于所述电子构件上方。如本专利技术的一态样所述的半导体装置，所述半导体装置包括：被动构件，所述被动构件耦接到在所述第一天线组件以及所述第二天线组件之间的所述基板顶部侧。本专利技术的另一态样为一种方法，所述方法包括：提供基板，所述基板包括：基板顶部侧；基板底部侧；基板介电结构，所述基板介电结构在所述基板顶部侧以及所述基板底部侧之间；以及基板传导结构，所述基板传导结构穿越所述基板介电结构并且包括：第一基板端子；以及在所述基板顶部侧处的第二基板端子；将电子构件耦接到所述基板，所述电子构件包括：耦接到所述第一基板端子的构件端子；以及将第一天线组件耦接到所述基板，所述第一天线组件包括：第一组件介电结构；第一天线图案，所述第一天线图案耦接到所述第一组件介电结构；第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n基板，包括：/n基板顶部侧；/n基板底部侧；/n基板介电结构，所述基板介电结构在所述基板顶部侧和所述基板底部侧之间；以及/n基板传导结构，所述基板传导结构穿越所述基板介电结构并且包括：/n第一基板端子；以及/n第二基板端子，所述第二基板端子在所述基板顶部侧处；/n电子构件，所述电子构件耦接到所述基板并且包括：/n耦接到所述第一基板端子的构件端子；/n以及/n第一天线组件，所述第一天线组件耦接到所述基板并且包括：/n第一组件介电结构；/n第一天线图案，所述第一天线图案耦接到所述第一组件介电结构；/n第一组件端子，所述第一组件端子耦接到所述第二基板端子；/n第一组件头侧，所述第一组件头侧相邻于所述第一天线图案；/n第一组件基底侧，所述第一组件基底侧相对于所述第一组件侧；以及/n第一组件侧壁，所述第一组件侧壁在所述第一组件头侧和所述第一组件基底侧之间；/n其中：/n所述第一组件端子在所述第一组件基底侧或所述第一组件侧壁中的至少一处从所述第一组件介电结构暴露；/n所述第一天线图案经由所述第一组件端子而被耦接到所述基板；/n所述第一天线组件耦接到在所述电子构件的覆盖区之外的所述基板；并且/n所述基板传导结构耦接所述第一天线组件到所述电子构件。/n...

【技术特征摘要】
20191002 US 16/590,8011.一种半导体装置，包括：
基板，包括：
基板顶部侧；
基板底部侧；
基板介电结构，所述基板介电结构在所述基板顶部侧和所述基板底部侧之间；以及
基板传导结构，所述基板传导结构穿越所述基板介电结构并且包括：
第一基板端子；以及
第二基板端子，所述第二基板端子在所述基板顶部侧处；
电子构件，所述电子构件耦接到所述基板并且包括：
耦接到所述第一基板端子的构件端子；
以及
第一天线组件，所述第一天线组件耦接到所述基板并且包括：
第一组件介电结构；
第一天线图案，所述第一天线图案耦接到所述第一组件介电结构；
第一组件端子，所述第一组件端子耦接到所述第二基板端子；
第一组件头侧，所述第一组件头侧相邻于所述第一天线图案；
第一组件基底侧，所述第一组件基底侧相对于所述第一组件侧；以及
第一组件侧壁，所述第一组件侧壁在所述第一组件头侧和所述第一组件基底侧之间；
其中：
所述第一组件端子在所述第一组件基底侧或所述第一组件侧壁中的至少一处从所述第一组件介电结构暴露；
所述第一天线图案经由所述第一组件端子而被耦接到所述基板；
所述第一天线组件耦接到在所述电子构件的覆盖区之外的所述基板；并且
所述基板传导结构耦接所述第一天线组件到所述电子构件。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述第一天线组件包括：
第一天线路径，所述第一天线路径穿越所述第一组件介电结构并且耦接到所述第一天线图案和所述第一组件端子。


3.如权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述第一天线图案被定向成沿着实质上正交于所述第一天线头侧的方向通讯。


4.如权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述第一天线组件包括：
面向垂直方向的所述第一组件头侧，及被定向成沿着所述垂直方向通讯的所述第一天线图案；以及
耦接到所述基板的所述第一组件基底侧。


5.如权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述第一天线组件包括：
面向第一水平方向的所述第一组件头侧，及被定向成沿着所述第一水平方向通讯的所述第一天线图案；以及
耦接到所述基板的所述第一组件侧壁。


6.如权利要求1所述的半导体装置，包括：
耦接到所述基板的第二天线组件；
其中：
围绕所述电子构件的覆盖区的所述基板包括：
基板向左部分、基板向右部分、基板向上部分以及基板向下部分；
所述第一天线组件在所述基板向左部分处被耦接到所述基板顶部侧；并且
所述第二天线组件在所述基板向右部分处被耦接到所述基板顶部侧。


7.如权利要求6所述的半导体装置，包括：
在所述基板顶部侧上的囊封物；
其中：
所述第二天线组件包括相邻于第二组件头侧的第二天线图案；
所述第二天线组件包括第二组件侧壁；
所述囊封物覆盖所述第一组件侧壁以及所述第二组件侧壁；并且
所述囊封物暴露所述第一组件头侧以及所述第二组件头侧。


8.如权利要求7所述的半导体装置，其中：
所述电子构件包括：
构件第一侧，所述构件第一侧耦接到所述基板顶部侧；
构件第二侧，所述构件第二侧相对于所述构件第一侧；
构件侧壁，所述构件侧壁在所述构件第一侧和所述构件第二侧之间；以及
屏蔽结构，所述屏蔽结构覆盖所述构件第二侧和所述构件侧壁；
并且
所述囊封物覆盖相邻于所述构件侧壁的所述屏蔽结构。


9.如权利要求6所述的半导体装置，其中：
所述第一天线组件包括：
面向垂直方向的所述第一组件头侧，及被定向成沿着所述垂直方向通讯的所述第一天线图案；以及
耦接到所述基板的所述第一组件基底侧；
并且
所述第二天线组件包括：
面向所述垂直方向的第二组件头侧，及被定向成沿着所述垂直方向通讯的第二天线图案；以及
耦接到所述基板的第二组件基底侧。


10.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琼延，李泰勇，新督尚，李聖爱，郑禹斌，柳智妍，金进勇，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG