【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电器装置。目前，在冶金，化工等工业变流系统中采用的直流稳流方法有两种，一种是使用二极管整流用自饱和电抗器稳流，二是用可控硅整流进行稳流，这两种方法都是控制改变整流管导通角的后移，使整流电流迟后导通来控制整流输出变化，达到稳流目的，存在着功率因数低，谐波电流大，变压器激磁电流增加，输出容量低，变流系统损耗加大等缺陷。本技术目的是提供一种性能安全可靠，可使二极管整流导通角前移的可控硅移相调整稳流设备。本技术是由稳流变压器，可控硅控制柜，主控回路组成，控制电路的接触器1电容器2分别位于可控硅控制柜的底部，在其上部安装有防水板3，可控硅散热器4位于散热器架上，附件板脉冲变压器5及电路板6位于可控硅控制柜的上层，上方安装有指示电流表7和电压表8，稳流变压器9的三相各低压线圈L2、L3串联于整流变压器与二极管整流电路之间，L3头端与整流变压器二次母线相接，尾端接入二极管整流电路，L2尾端与整流变压器二次母线相接，头端接入可控硅整流柜的二极管整流电路，稳流变压器9的三相高压绕组接线方式为A相L1头端通过可控硅10接到A1相，L1头端同时又通过可控硅11接到C...
【技术保护点】
可控硅移相调整稳流设备，是由稳流变压器，可控硅控制柜，主控回路组成，其特征在于控制电路的接触器１电容器２分别位于可控硅控制柜的底部，在其上部安装有防水板３，可控硅散热器４位于散热器架上，附件板脉冲变压器５及电路板６位于可控硅控制柜的上层，上方安装有指示电流表７的电压表８，稳流变压器９的三相各低压线圈Ｌ↓［２］、Ｌ↓［３］串联于整流变压器与二极管整流电路之间，Ｌ↓［３］头端与整流变压器二次母线相接，尾端接入二极管整流电路，Ｌ↓［２］尾端与整流变压器二次母线相接，头端接入二极管整流电路。
【技术特征摘要】
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