【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求1前序部分的CMOS电流镜。
技术介绍
这种CMOS电流镜本身是已知的,例如由Tietze/Schenk所著的、由Springer-VerlagBerlin/Heidelbeig/NewYork出版社出版的'Mbleiterschaltungstechnik', (ISBN 3-540-194754),第九版,第96和97页所公开。此外,ThartFahVoo和Toumazou, C.所发表的"A Novel Highspeed Current Mirror Compensation Technique and Application"(正EE电路与系统国际^i义;1995年4月28日至5月3日,1995年 第三巻,第2108页至2111页)中也公开了一种电流镜,该电流镜在输入晶体管 和输出晶体管的栅极端子之间具有一个阻抗。此外,具有共栅-共阴晶体管 (Kaskoden-Transistoren)以提高输出阻抗的电流镜也是已知的。在US 2004/0056708 Al中也给出了各种CMOS电流镜。CMOS电流镜的工作原理基于,以相 ...
【技术保护点】
CMOS电流镜(10;11;13;15;17;19;21;23;25),其包括:一电流输入端(I_in);一输入晶体管(12),该输入晶体管(12)的导电通路处于所述电流输入端(I_in)和一参考电势端子(14)之间;一电流输出端(I_out);一输出晶体管(16),该输出晶体管(16)的导电通路与所述参考电势端子(14)连接并且该输出晶体管(16)向所述电流输出端(I_out)供给输出电流;一对于所述两个晶体管(12、16)共同的栅极节点(18);以及一供电电势端子(20),其特征在于:所述电流镜(10;11;13;15;17;19;21;23;25)具有一第一另外的晶体 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:U卡特豪斯,P科尔布,
申请(专利权)人:ATMEL德国有限公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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