铝基材直接化学镀铜的溶液及其应用方法技术

本发明专利技术公开了一种铝基材直接化学镀铜的溶液及其应用方法，该溶液包括以下质量浓度百分比的组分：铜盐5‑15g/L、亚硫酸盐20‑60g/L、络合剂10‑50g/L、还原剂10‑30g/L、缓冲剂10‑50g/L、缓蚀剂0.05‑0.5g/L、表面活性剂0.05‑0.1g/L和余量的水；将上述组分按照配比均匀混合后，用缓冲剂调节pH至7.0‑8.0后形成镀铜溶液。本发明专利技术的铝基材直接化学镀铜的溶液，解决了传统镀铜腐蚀铝的问题，和镀液攻击光刻胶的问题。在晶圆级封装领域，可以完全替代真空镀铜，降低成本，提高生产率。

【技术实现步骤摘要】
铝基材直接化学镀铜的溶液及其应用方法
本专利技术涉及镀铜溶液
，尤其涉及一种铝基材直接化学镀铜的溶液及其应用方法。
技术介绍
铝基材的表面处理方法较多，在化学镀方面，铝基材基本上采用化学镀镍技术，该技术发展多年已经相当成熟，而铝基材直接化学镀铜的工艺却不常见。在半导体
，铝线路长期是芯片内部金属互联的主力，但随着对芯片运算效率、降低功耗等方面的要求不断提高，铝线路已经难以满足这种高要求，于是开始出现在铝基材上进行真空镀铜，或真空镀铜后再利用电镀铜的方式加厚铜层，以增强线路的导电性来提高芯片的运算效能。众所周知，铝属于两性金属，在强酸和强碱情况下都会受到腐蚀，对于传统的化学镀铜来说，其pH值大于12，氢氧化钠浓度一般在8g/L以上，属于强碱性环境，铝基材在化学镀铜溶液中很快就会被腐蚀。而电镀铜属于强酸性溶液，硫酸往往在几十克每升，甚至上百克每升，铝基材同样会在这种环境被腐蚀。为了解决该问题，在半导体领域，技术人员通过在铝基材表面进行真空镀铜后再电镀铜的方式解决该问题。真空镀铜对铝基材无任何攻击，可以在铝表面顺利形成铜层，但由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铝基材直接化学镀铜的溶液，其特征在于，包括以下质量浓度百分比的组分：/n铜盐5-15g/L/n亚硫酸盐20-60g/L/n络合剂10-50g/L/n还原剂10-30g/L/n缓冲剂10-50g/L/n缓蚀剂0.05-0.5g/L/n表面活性剂0.05-0.1g/L/n余量的水/n将上述组分按照配比均匀混合后，用缓冲剂调节pH至7.0-8.0后形成镀铜溶液。/n

【技术特征摘要】
1.一种铝基材直接化学镀铜的溶液，其特征在于，包括以下质量浓度百分比的组分：
铜盐5-15g/L
亚硫酸盐20-60g/L
络合剂10-50g/L
还原剂10-30g/L
缓冲剂10-50g/L
缓蚀剂0.05-0.5g/L
表面活性剂0.05-0.1g/L
余量的水
将上述组分按照配比均匀混合后，用缓冲剂调节pH至7.0-8.0后形成镀铜溶液。


2.根据权利要求1所述的铝基材直接化学镀铜的溶液，其特征在于，所述铜盐为硫酸铜、氯化铜、硫酸铜水合物或氯化铜水合物。


3.根据权利要求1所述的铝基材直接化学镀铜的溶液，其特征在于，所述亚硫酸盐为亚硫酸钠和/或亚硫酸钾。


4.根据权利要求1所述的铝基材直接化学镀铜的溶液，其特征在于，所述络合剂为乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸四钠和酒石酸钾钠中的一种或多种的在组合。


5.根据权利要求1所述的铝基材直接化学镀铜的溶液，其特征在于，所述还原剂为硼氢化钠、硫酸羟胺、水合肼中的一种或多种的组合。


6.根据权利要求1所述的铝基材直接化学镀铜的溶液，其特征在于，所述缓冲剂为氯化铵、氨水、磷酸盐中的一种或多种的组合。


7.根据权利要求1所述的铝基材直接化学镀铜的溶液，其特征在于，所述缓蚀剂为咪...

【专利技术属性】
技术研发人员：王江锋，刘可，
申请(专利权)人：昆山成功环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32