电力准位偏移的系统与方法技术方案

技术编号:2791864 阅读:166 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术揭示了一种以零静电流用于电压准位转换的电路系统,作为一电压供应装置与另一电压供应装置间的界面装置。上述转换是以一修改的电流镜电路来达成,使得电流镜在输出达到一稳定状态的情形下会被有效地关闭。

System and method for power level offset

The invention discloses a circuit system for voltage quasi position conversion with zero quiescent current, as an interface device between a voltage supply device and another voltage supply device. The conversion is achieved with a modified current mirror circuit so that the current mirror will be effectively closed when the output reaches a steady state.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子电路,尤其是一种电压转换的系统与方法。
技术介绍
许多电子系统会使用多种供应电压以供电给半导体装置,为了能够让以某一电压运作的装置可界接于以另一电压运作的装置,常常需要用到一个在电压间偏移的电路。图1A与图1B为现今常用的两种通用的电压准位偏移技术(common level shifting techniques),为了简化,在此所提供的电路是以金氧半场效晶体管(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)来举例。然而,熟悉相关技术者可推知其它型式的晶体管亦可用于这些电路,而相关电路的使用各有其取舍。图1A涉及了与一n通道输入电路交错耦合的p通道电路。P通道电路104、105与缓冲区106是在一较高电压范围运作,并且缓冲区101是在一较低电压范围运作,而n通道晶体管102、103是在较高电压与较低电压范围间转换(transition)。n通道晶体管102、103是高电压晶体管,其栅极以较低电压范围运作,并且其漏极运作于较高电压范围。晶体管102、103将来自低电压差动缓冲区101(diffe本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压准位偏移的系统,其特征在于,包含:一输入缓冲区,具有一第一供应电压轨与一输入电压;一输出缓冲区,具有一第二供应电压轨;一电流镜,具有该第二供应电压轨的一高端供应;一差动晶体管集合,具有该第一供应电压轨 的一低端供应;以及一偏压移除电路;其中该电流镜会产生一偏压,该偏压是于一输出的电压达到一稳定状态的情形下被移除。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:提姆斯戴维斯
申请(专利权)人:威盛电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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