The invention belongs to the technical field of integrated circuit of reference voltage source, which is characterized in that the reference voltage source with nonlinear correction to offset the logarithmic temperature coefficient of the output current of the output reference voltage source with high temperature stability, and the level of the traditional replace shift circuit reduces the load resistance area and by the resistance brought by the influence of temperature change, in addition, the output end of the shunt resistance value of the output voltage of the voltage reference value to ensure a wide range of variation for high temperature stability conditions, at the same time also designed the start and bias circuit, the circuit design can start properly. The invention can be used in a mobile equipment circuit system with low power supply voltage.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路的电源，尤其是基准电压源的温度稳定性
技术介绍
电压基准源在很多模拟电路和数模混合电路中被广泛应用，例如A\D，D\A转换器，存储器等等。随着工艺特征尺寸的不断降低，考虑到器件的可靠性，电路工作所允许的电源电压也必须逐步降低；同时，由于晶体管集成度的逐步提高，电路的功耗也必须加以限制。因而，在低电压，低功耗和工作环境日益恶劣的条件下，电路系统对电压基准源模块的要求越来越严格。对于传统的带隙基准源电路，1V电源电压下，有两个明显的因素制约着电路的实现。一是带隙基准源的输出大约为1.2V，超出了电源电压的范围；另一个是基准源电路中用到的运算放大器(OPA)的输入共模范围受到限制。这两个制约因素可以分别通过电流模式和电阻分压的方法解决。一些1V电源电压的基准源电路已经被报道过，但是，这些基准源电路用到的是Bipolar或者是BiCMOS工艺，成本较高，如P.Malcovati，F.Maloberti，et al.“Curvaturecompensated BiCMOS bandgap with 1-V supply voltage，”...
【技术保护点】
１Ｖ电源非线性纠正的高温度稳定性基准电压源，其特征在于，含有：第１运算放大器（ＯＰＡ１），输出端同时连接到ＭＯＳ管（Ｍ０）和（Ｍ１）的栅极，而所述（Ｍ０）管、（Ｍ１）管的源极同时接电源ＶＤＤ；所述第１运算放大器（ＯＰＡ１）的正输入端是节点（Ｖ↓［Ｐ］），该节点（Ｖ↓［Ｐ］）在连接到（Ｍ０）管的漏极的同时，还通过电阻（Ｒ０）连接到ＰＮＰ晶体管（Ｑ↓［０］）的发射级，该（Ｑ↓［０］）管的其余两端接地；所述第１运算放大器（ＯＰＡ１）的负输入端是节点（Ｖｎ），该节点（Ｖｎ）在连接到（Ｍ１）管的漏极的同时还连接到ＰＮＰ晶体管（Ｑ↓［１］）的发射极，该（Ｑ↓［１］）管的其余两端接地，由...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志良，陈弘毅，秦波，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。